第6章 单组元相图及纯晶体凝固幻灯片.pptVIP

(2) 粗糙界面，生长形态呈平面状。 对于粗糙界面的晶体，其生长界面以垂直长大方式推进。由于前方液体温度高，所以生长界面只能随前方液体的逐渐冷却而均匀地向前推移。整个液-固相界面保持稳定的平面状态，不产生明显的突起。在正的温度梯度下，晶体的这种生长方式称为平面状生长。 晶体生长方向与散热方向相反，生长速度取决于固相的散热速度 正温度梯度下粗糙界面生长形态 粗糙界面和光滑界面皆以平面状方式向液相中推移。 距离 固相 固 相 固相 液相 Tm 固-液界面 GL GS 过冷区 固-液界面凸起 温度 固相 在负的温度梯度下，生长形态为树枝状长大。 树枝晶（dendrite）长大具有一定的晶体取向，与晶体结构类型有关：fcc或bcc结构100, hcp 。 粗糙界面结构的金属，其树枝生长形态最为明显；光滑界面结构的金属，树枝晶不明显。 b.负温度梯度下的生长形态—树枝状生长 固相 固-液界面凸起 b.负温度梯度下的生长形态—树枝状生长 固-液界面以树枝状方式向液相中推移。 对粗糙界面，该效应显著，对光滑界面往往不很明显。 距离 固相 液相 固-液界面 GL GS 过冷区 Tm 温度 固相 固相 固相 树枝状晶体长大示意图 钢锭中的树枝状晶体 （链接1、2、3枝晶长大过程） ???树枝状晶体形貌 Ni-Ta-Mn-Cr合金的树枝状界面 定向凝固枝晶生长 单晶镍基合金中的枝晶形态 快冷粉末颗粒中的树枝晶组织 2.单晶体的制备 3. 非晶态金属的制备 1. 凝固后细晶的获得 6.2.6 凝固理论的应用举例 1. 凝固后晶粒大小控制 晶粒大小对材料的性能影响很大，实践证明，材料的σS与晶粒直径d符合Hall-Petch公式：σS=σ0+Kd-1/2(P184 5.12)??????? ?????? 式中，σ0和K是两个与材料有关的常数。可见，晶粒越细小，材料的强度越高。晶粒细小还可提高材料的塑性和韧性。 晶粒大小用晶粒度来表示，标准分为8级（见下图）；1级最粗，D≈0.25㎜；8级最细，D≈0.02㎜。晶粒细小，材料性能提高。 八级标准晶粒图 晶粒度等级 单位面积晶粒数(个·mm-2) 晶粒平均直径 mm 1 16 0.250 2 32 0.177 3 64 0.125 4 128 0.088 5 256 0.062 6 512 0.044 7 1024 0.031 8 2048 0.022 根据凝固理论，细化晶粒的途径是提高形核率和抑制晶体的长大速率。即形成足够多的晶核，使它们在尚未显著长大时便相互接触，完成结晶过程。 为控制结晶后晶粒尺寸，工艺上采取的主要措施有：过冷度增加、添加形核剂、振动与搅拌。 a.过冷度增加 晶核数P(t)与形核率N及长大速率vg之间的关系 主要控制N和Vg，二者取决于△T。N∝exp（－1/△T2） Vg：连续长大Vg ∝△T, 螺位错长大Vg∝△T2 ，△T上升 N呈指数增加，但N比Vg增加快，晶粒细化。 实际生产中措施如：降低熔液的烧注温度，提高铸型的吸热能力和导热性；选择吸热能力强，导热性大的铸模材料，用金属型代替砂型；采用水冷铸型。 熔液结晶前加入人工形核剂(即孕育剂或变质剂)作为非均匀形核的晶核。变质剂作用取决于接触角(润湿角)θ:θ越小，形核剂的作用大。晶核与变质剂符合点阵匹配原则：结构相似、(原子间距)大小相当。错配度：δ= |a－a1|/a 如：Zr能促进Mg的非均匀形核，WC能促进Ag的非均匀形核。 在铝和铝合金以及钢中加入钛、锆等，但是铝硅合金中加入钠盐不光是起形核作用，主要作用是阻止硅的长大来细化合金晶粒；Zr能促进Mg的非均匀形核；WC能促进Ag的非均匀形核。 b. 形核剂作用 振动：机械式、电磁式、超声波枝晶破碎 搅拌：对正在结晶的金属进行振动或搅动，一方面可依靠外部输入的能量来促进形核，另一方面也可使成长中的枝晶破碎，使晶核数目显著增加。 制取微枝晶合金：枝晶间距越小，可使微缩孔细化，偏析成都减小，从而提高铸件的力学性能。 制取微枝晶的基本措施：激冷，且凝固速度越快，枝晶间距越小。 c. 物理因素 2.单晶体的制取 单晶体就是由一个晶粒组成的晶体。 制取单晶体的基本原理：保证液体结晶时只形成一个晶核，并由这个晶核长成一个单晶体。核心来源可以从液体中自发形成，也可以是外来引入的。同时为防止在液体中形核，要求材料纯净。 ???单晶体材料是电子工业、激光技术及光通讯技术、红外遥感技术等高技术领域中应用的重要材料。单晶硅、锗是制造大规模集成电路的基本材料。近百种氧化物单