北航电力电子实验技巧.doc

电力电子实验报告 学号 姓名 王天然 实验 功率场效应晶体管(MOSFET)特性 与驱动电路研究 一．实验目的： 1．熟悉MOSFET主要参数的测量方法 2．掌握MOSEET对驱动电路的要求 3．掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法 ．实验设备和仪器 MCL-07电力电子实验箱中的MOSFET与PWM波形发生器部分 2．双踪示波器 3．表 4．电压表 三．实验方法 1．MOSFET主要参数测试 （1）开启阀值电压VGS(th)测试 在主回路的“1”端与MOS 管的“25”端之间串入毫安表，测量漏极电流ID，将主回路的“3”与“4”端分别与MOS管的“24”与“23”相连，再在“24”与“23”端间接入电压表, 测量MOS管的栅源电压Vgs，并将主回路电位器RP左旋到底，使Vgs=0。将电位器RP逐渐向右旋转，边旋转边监视毫安表的读数，当漏极电流ID=1mA时的栅源电压值即为开启阀值电压VGS（th）。 读取6—7组ID、Vgs，其中ID=1mA必测，填入表。ID（mA） 0.5 1 5 100 200 500 Vgs（V） 2.72 2.86 3.04 3.50 3.63 3.89 （2）跨导gFS测试 双极型晶体管（GTR）通常用hFE（β）表示其增益，功率MOSFET器件以跨导