22-2极体.pptVIP

22-2二極體 p-n接面二極體的結構 p-n接面二極體的電荷分布情形 擴散電流與漂移電流 二極體受到的偏壓 順向偏壓 逆向偏壓 二極體的電路符號及特性 二極體的功用---整流 二極體的外觀 二極體I-V特性曲線的測定電路 二極體的I-V特性曲線 發光二極體 發光二極體的應用 p-n接面二極體的結構 將一塊純矽（或鍺）晶體的一部分摻入雜質原子使成為n型半導體，其餘部分為p型半導體，就成為p-n接面二極體（p-n junction diode），簡稱二極體（diode）。 p-n接面二極體的電荷分布情形 位能障礙：空乏區留下的正、負離子會形成電場，造成電位差，以阻止p型半導體的電洞與n型半導體的自由電子，再穿過接面進行擴散。 空乏層：p型半導體的電洞會擴散入n型半導體，而與自由電子復合，相同地，n型半導體的自由電子會擴散入p型半導體，而與電洞復合。因此在pn接面附近形成一個狹窄的區域，此區域既沒有電動也沒有自由電子。 擴散電流與漂移電流 多數載子必須有足夠的能量，以克服位障高度Vb，才能由一邊擴散入另一邊，形成擴散電流Id。二極體內的擴散電流等於電洞和自由電子進行擴散所成電流的總和。 少數載子只要能闖進空乏層內（可能藉由熱運動），就會被其內建電場所吸引而被掃入另一邊，形成漂移電流Is。漂移電流的大小和溫度有關，但和位障高度無關。 擴散電流與漂移電流方向相反。二極體處於斷路時，