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三氯氢硅合成摘要：本文主要介绍了三氯氢硅的物化性质，三氯氢硅合成工艺原理及操作流程，三氯氢硅合成动力学及影响因素。关键词：三氯氢硅 合成 动力学世界人口不断递增，发展中国家的工业进程加快，全球能源消耗以3％/a的速度增长，并可能在今后较长的时间内维持这个增长速度。在这种情况下，目前全球已经探明的一次能源预计在100年内将会耗尽。因此，全球积极开发利用可再生能源是大势所趋，势在必行。太阳能作为最重要的可再生能源之一，具有清洁、卫生、安全、丰富等多方面的优势，越来越受到重视。太阳能发电的主力军——光伏发电自20世纪末至今以近50％/a的增长率高速发展，导致太阳能光伏产业所需核心原料多晶硅的生产急剧扩张。改良西门子法生产多晶硅是目前最为成熟、应用最广泛、扩展速度最快的技术。三氯氢硅是改良西门子法生产多晶硅工艺中的一个非常重要的中间产品，因此有必要对三氯氢硅的合成作深入的研究。1 三氯氢硅的物化性质纯净的三氯氢硅在常温下是无色易挥发的透明液体，带有强烈气味，密度约为1 334 kg/m3，标准状况下的沸点为31.5℃。其蒸气会对人的眼角膜、嘴、鼻表皮及呼吸道产生刺激，引起喘息。三氯氢硅的性质很活泼，能与水等多种物质反应，同时释放大量的热。三氯氢硅与水在空气中剧烈反应，有爆炸的危险，除三氯氢硅自身的反应外，主要是引起氢气的二次反应。三氯氢硅未充分反应时产生硅氧烷，具有易燃性，在冲击或摩擦作用下有可能着火或爆炸。三氯氢硅的分子结构不对称，热稳定性差，400℃开始分解，分解的产物比较复杂，不仅受温度影响，还受环境影响，一般情况下，在氯化氢环境中主要是按下式进行分解：SiHCl3+HCl=SiCl4+H2。在大量氢气环境中，主要是按下式进行反应：SiHCl3+H2=Si+3HCI。这就是利用三氯氢硅热稳定性差的性质，在氢气环境中高温裂解，还原沉积生产多晶硅的原理。三氯氢硅在空气中极易燃烧，遇明火则强烈燃烧，燃烧时发出红色火焰和白色烟，生成二氧化硅、氯化氢和氯气：SiHCl3+O2=SiO2+HCl+Cl2。毒性：小鼠吸人LC50，1.5～2.0 mg/L；环境最高允许质量浓度，3 mg/m3；蒸气和液体都能对眼睛和皮肤引起灼伤，吸人呼吸道后能够刺激肺黏膜并诱发各种呼吸道疾病。2 三氯氢硅合成原理采用硅粉和氯化氢为原料，在300℃左右、0.45MPa的条件下，于流化床反应器中进行气固相反应，生成三氯氢硅和四氯化硅等氯硅烷。在流化床反应器中进行的反应十分复杂，其主要反应为：Si+3HCl＝SiHCl3+H2主要的副反应为：Si+4HCl＝SiC14+2H2其它的副反应为：2SiHCl3＝SiH2Cl2＋SiC142Si＋6HCl＝Si2Cl6＋3H22Si＋5HCl＝Si2HCl5＋2 H2反应所得的氯硅烷混合气体中主要含有:SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、CH3HSiCl2、PCI3、BCl3等物质。3 三氯氢硅合成工艺原料硅粉经吊运，通过硅粉下料斗而被卸人硅粉接收料斗。硅粉从接收料斗放人下方的中间料斗，经用热氯化氢气置换料斗内的气体并升压至与下方料斗压力平衡后，硅粉被放人下方的硅粉供应料斗。供应料斗内的硅粉用安装于料斗底部的星型供料机送人三氯氢硅合成炉进料管。从氯化氢合成工序来的氯化氢气，与从循环氯化氢缓冲罐送来的循环氯化氢气体混合后，引入三氯氢硅合成炉进料管，将从硅粉供应料斗供人管内的硅粉挟带并输送，从底部进人三氯氢硅合成炉。在三氯氢硅合成炉内，硅粉与氯化氢气体形成沸腾床并发生反应，生成三氯氢硅，同时生成四氯化硅、三氯二氢硅、金属氯化物、聚氯硅烷、氢气等产物，此混合气体被称作三氯氢硅合成气。反应大量放热，合成炉外壁设置有水夹套，通过夹套内水带走热量维持炉壁的温度。出合成炉顶部挟带有硅粉的合成气，经三级旋风除尘器组成的干法除尘系统除去部份硅粉后，送入湿法除尘系统，被四氯化硅液体洗涤，气体温表的部分细小硅尘被洗下；洗涤同时，通人湿氢气与气体接触，气体所含部分金属氧化物发生水解而被除去。除去了硅粉而被净化的混合气体送往合成气干法分离工序。4 三氯氢硅合成的动力学模型三氯氢硅合成是气相与固体间的多相反应，反应过程一般认为：气体反应物HCl通过气相边界层的外传质，称为外扩散；气体反应物HCl与固体反应物Si之间发生界面化学反应。该过程没有固体产物层的生成，随着反应的进行，固体反应物Si颗粒的体积逐渐的缩小直到完全的消失。反应过程可以用收缩核模型来描述。主化学反应方程式是：Si+3HCl＝SiHCl3+H2根据收缩核模型可以计算该反应的化学速率：通过实验可以判断该反应是化学动力学控制，还是扩散控制，还是混合控制。5 影响三氯氢硅合成的因素5.1合成温度的影响从SiHCl3合成的反应原理可知，硅粉和HCI反应是很复杂的，除了生成SiHCl3外，