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【版图学习笔记】 Candence操作 DESIGN RULE 各器件简述 版图技巧 布局布线 版图流程 ELLA的心得 Candence操作 一．进入版图工作环境： 1.进入unit ：Xmanger1.3..9＝》Xbrowser＝》EDA4＝》用户名＝》密码 界面上右键－》tools－》terminal－》 在layout目录输入icfb 登陆Candence icfb后面加“ ”的作用是之后可以继续在Shell窗口操作命令 在icfb窗口 tools－》library manager－》选择library，cell，view。 如果是新建，则FILE－》new里面新建。 5．在icfb窗口的tools－》library path 可以加库 二．最常用快捷键： f:全景图 ctrl＋z：放大 shift＋z：缩小 shift＋f：详细版图（非symbol） u：undo w：上一界面 i：调用器件 q：看属性 r：画矩形 p：固定长度的可折线 l：lable 标注端口、电源、地等。所标识的金属层，用该层TEXT层标识。如，M6层金属则选择M6TEXT层。 s:拉伸收缩 Shift＋C：把线断开（注意：先选中线，再操作） Shift＋M: merge（同上，先选中线） k：标尺 shift＋k：取消标尺 器件旋转：q－》选rotate度数－》Apply 对于已选器件：“M“ 左键 右键旋转 g:格点 鼠标在各格点移动 一般不用 如果取消，则再按一次“g” shift+x: 进入调用器件的下层 shift＋b：返回上层 F3：在选择了操作命令后，按F3可以显示旋转，宽度调整等被操作器件特性。该键很有用。 Undo默认为一步。若要增加次数，在ICFB窗口的OPTIONS里选择USER PREFERENCES，改变undo次数。 三．Layout环境界面常用操作 左边的窗口为“LSW”窗口。 AV:all view NV:no view AS:all select NS:none select （在连线时，可以先选NV，所有层次都看不见，再选中需要连线的层次，则版图上只显示该层，方便连线。 需要修改时，可以选NS,再选择需要修改的层次，方便改动。按右键选择活动的层次。） 下面为各层。可自己修改，添加删除。 常见操作快捷方式已在上文归纳。以下是版图设计过程中一些遇到问题后总结的操作 打散单元：EDIT-HIERARCHY-FLATTEN-FLATTEN PCELLS 完成版图后标端口：CREAT-PINS FROM LABLES DRC以后找错误：VERITY-MARKERS-FIND S操作中，先按“s”，再选择需要strentch的部分，再拉伸。 Shift＋c操作中，需要先选中需要CUT的线条。 在做GUARDRING里面，可以选择NDIFF_M1，选择一定的row和coloum，注意此时选择其中的”CONTACT“的行和列，这样就可以直接构成guarding。 二.DESING RULES 根据各不同工艺，DESIGN RULES各不相同。但大致尺寸仍然类似。规则也基本相同。 经过DRC，最容易出问题的： 最小延伸：主要指多晶硅必须伸出有源区 最小宽度：在线画好后，添加CONTACT与VIA等时，可能会因为位置摆放问题导致最小线宽不符合要求。 最小间距：不仅要注意各层自己的间距，如METEL1与METEL1连线间间距，还要注意不同层之间间距符合设计规则。 最小包围：由于要满足内层的最小宽度以及外层与内层的最小包围，因此在连接部分等处要求内层材料比原先宽度增加一些。 PSUB WITHOUT TAB：P衬底需要接地 本次DRC下来总结： Via四周距离 一端必须大于规则距离，另三端大于最小包围。 P衬底接地和NWELL里接高必须和器件小于20UM 最高层金属间距稍大0.44 其他为0.28 电容两极板需要用第六层引线出来，若用第五层，则它会认为是电容板的一层，报错。 三．各器件简述 1.MOS管 2.三极管 3.电容 4.电阻 5.电感 在很多工艺库中，以上器件都是可以调用的。因此不需要自己画。如果没有可以调用的器件，就按照design rule中对各层的定义，自己绘制器件。 本次流片所用到的器件： 四．版图技巧Z 1．对敏感线的处理 对敏感线来说，至少要做到的是在它的走线过程中尽量没有其