恒流源电路案例.ppt

同理，上式两边对VDS1求导，就可求得在IDS1＝（VDS3－Vth）/R时，Io的值为最大，且其最大值为： 　　 　　　　　　　　　　　　 因此，当IR取为（VDS3－Vth）/R时，其输出电流由M1与M3的宽长比之比、电阻R及M3的过驱动电压决定，而与电源电压无关。 该电流源具有很高的电源抑制比。且当IR稍偏离nVT/R时，输出电流值Io仍可几乎保持不变。 同理，该电路的一个主要缺点就是电阻R随工艺及温度变化较明显，因此必须考虑温度及工艺对输出电流Io的影响。 所有的MOS管都工作在饱和区，并且假设M3的宽长比为M1的K倍 。 根据KCL定理有： 　 且有： 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 根据饱和萨氏方程，则有： 求解上式可得： 　　　　 如果ΔVth很小，则上式可简化成： 　　　 　　　　　　　　 而根据有关跨导的定义，可求得其负载管的跨导为： 由上式可以看出输出电流与电源电压几乎无关，是一高电源抑制的电流源。 并且可以看出该电路的负载管的跨导为一常数，因此又称为恒定跨导gm的电流源。 当然该电路的缺点是电阻R的温度系数与工艺偏差会影响gml，为了减小电阻R的影响，对该电流源可进一步改进成： 1)、把电阻R接到M4的源极以避免体效应。 2)、电阻R可用开关电容电阻实现，可以得到较高的精度和调谐能力，但这需要另加时钟与电容。 * 另外，根据第二章的所介绍的知识可知，由于在实际工艺制作MOS管时，其漏源区存在边缘扩散效应，其用作沟道的长度实际上小于版图中所画的长度（L’=LDR－2LD），这在CMOS工艺特征尺寸越小时则越明显，所以若以一定比例改变沟道长度LDR时，实际沟道长度并不能按比例改变（因为相同工艺下LD基本不变），而在大多数电路中器件宽度都是一个较大的值（以避免出现狭沟道效应），因而边缘扩散效应所产生的影响较小，可认为实际沟道的宽度与所要求的宽度一致，即对器件宽度进行按比例变化时，其实际沟道宽度基本能保持所需的比例，。因此，在通过改变MOS管的宽长比以达到改变比例电流源的比例的目的时，一般电流镜中所有的MOS管都采用相同的栅长，而通过改变MOS管的宽以实现不同的电流比。 电流复制的基本原理 相同的工艺参数制作的两个 相同的MOS器件具有相同 的栅源电压，并且都工作在 饱和区则其漏极电流完全相 等，即实现了所谓的电流复制 。 但由于存在沟道调制效应时，其漏源电压 VDS若不相等，则其电流也不会相同。 在考虑沟道调制效应时有： 　　 　　　　　　 从上式可以看出：假如已有IR，只要改变M1与M2的宽长比，就可设计出Io，它即可以与IR相等，也可与IR成一比例关系，所以也称为比例电流镜，这种技术在模拟集成电路中有着广泛的应用，比如作为放大器的负载。 但是由于存在沟道调制效应，且VDS2是一变量，因此Io实际上不是一个恒流源。 如何改善Io的恒流特性以实现真正意义上的电流源，可以看到原则上有两种方法： 1、减小以至消除M2的沟道调制效应（因为VDS1＝VGS1为定值，故M1不影响Io的恒流特性），即通过增大M2的沟道长度，以减小λ，增大输出阻抗，从而改善恒流特性。 2、设定VDS2＝VDS1，则可知Io与IR只与M1、M2的宽长比相关，从而得到具有很好的恒流特性的电流源。 因为沟道调制效应在小特征尺寸的CMOS工艺中是不能消除的，因此通常是采用第二种方法来改善电流源的恒流特性，由此而设计出了多种恒流源电路结构。 另外，有时还由于存在不同的体效应，使各自的阈值电压Vth不相等，因而其电流也会产生偏差，这也可以通过电路的合理设计以消除它对电流镜的影响。 该电流源的基本原理是利用负反馈来提高电流源的输出阻抗以使电流源具有良好的恒流特性。 上图中，由于VDS1=VGS3+VGS2，而VGS1=VGS2，所以：VDS1VGS1，因此M1一定工作在饱和区，所以根据饱和萨氏方程可得： 　　　　　　　　　　　　　　　　　 由于VDS2＝VGS2，VDS1=VGS2＋VGS3，即VDS1≠VDS2，所以在这种电流源中，Io/IR的值不仅与M1、M2的几何尺寸相关，还取决于VGS2与VGS3的值。 根据交流小信号等效电路，可求出电路的输出阻抗。忽略M3的衬偏效应，则有： 　　　　　　　　 进一步可推导出： 　 　　　　　　　　　　 　　 假定gm1=gm2=gm3，且gm1rds11，则上式可简化为： 与基本电流镜结构相比，威尔逊电流源具有更大的输出阻抗，所以其恒流特性得到了很大的提高，且只采用了三个MOS管，