第八讲扩散(上).pptVIP

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@fudan.edu.cn 邯郸校区物理楼435室 INFO130024.02 集成电路工艺原理 第六章 扩散原理 (上) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 大纲 第一章 前言 第二章 晶体生长 第三章 实验室净化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 热氧化 第六章 热扩散 第七章 离子注入 第八章 薄膜淀积 第九章 刻蚀 第十章 后端工艺与集成 第十一章 未来趋势与挑战 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（doping profile）。 MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等 BJT：基极、发射极、集电极等 掺杂应用： B E C p p n+ n- p+ p+ n+ n+ BJT p well NMOS Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 杂质分布形状（doping profile）举例 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 掺杂过程 气/固相扩散 离子注入 或 退火 预淀积＝ 优点 缺点 预淀积控制剂量 恒定剂量推进退火 离子注入 室温掩蔽 精确剂量控制 1011～1016/cm2剂量 精确的深度控制 高浓度浅结形成 灵活 损伤错位会导致结漏电 沟道效应会影响杂质分布 注入损伤增强扩散 气/固相扩散 无损伤掺杂 需要长时间驱入退火方可能获得低表面浓度 低剂量预淀积困难 受到固溶度限制 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 基本概念 结深 xj （Junction Depth） 薄层电阻 Rs （Sheet Resistance ） 杂质固溶度（Solubility) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1、结深的定义 xj : 当 x = xj 处 Cx（扩散杂质浓度）= CB（本体浓度） 器件等比例缩小k倍，等电场要求xj 同时缩小k倍 同时 要求xj 增大 在现代COMS技术中，采用浅结和高掺杂来同时满足两方面的要求 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2、薄层电阻 RS（sheet resistance） 方块电阻 t l w 薄层电阻定义为 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 方块时，l＝w，R＝RS。所以，只要知道了某个掺杂区域的方块电阻，就知道了整个掺杂区域的电阻值。 RS：表面为正方形的半导体薄层，在电流方向呈现的电阻。单位为 ?/?（即?） RS：正方形边长无关 其重要性： 薄层电阻的大小直接反映了扩散 入硅内部的净杂质总量 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile