1-2集成电路版图的基本知识试题.pptVIP

版图的相关知识 余 华 重庆大学光电工程学院 Layout structure 集成电路加工的平面工艺 Understanding Layout A simple Case Layer Layout Flow 硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系 1. N阱——做N阱的封闭图形处，窗口注入形成P管的衬底 2. 有源区——做晶体管的区域（G,D,S,B区），封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层 3. 多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅。 4. 有源区注入——P+,N+区。做源漏及阱或衬底连接区的注入 5. 接触孔——多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。 6. 金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝 7. 通孔——两层金属连线之间连接的端子 8. 属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝 版图流程——N well（1） 版图流程——Active Area（2） 版图流程——Polysilicon（3） 版图流程——Active Area Implant（4） 版图流程——Contact（5） 版图流程——Metal 1（6）  反相器版图与电原理图 CMOS工艺中的元件 MOS晶体管 – 版图和结构 – 电特性 – 隔离 – 串联和并联 连线 集成电阻 集成电容 寄生二极管和三级管 MOS晶体管 NMOS晶体