2015第2次课-第二章半导体异质结的组成与生长概要.ppt

1 特点： MBE是一个动力学过程，即将入射的中性粒子（原子或分子）一个一个地堆积在衬底上进行生长，而不是一个热力学过程，所以它可以生长按照普通热平衡生长方法难以生长的薄膜。 MBE是一个超高真空的物理沉积过程，既不需要考虑中间化学反应，又不受质量传输的影响，并且利用快门可以对生长和中断进行瞬时控制。因此，膜的组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。 2 装置 3 MBE生长 （1）表面净化 加温 GaAs 573 oC 离子照射 H原子照射。 4 薄膜生长及生长机理 吸附系数 吸附 脱附 MBE growth mechanism ** MBE growth mechanism * Si RHEED 像 5高能电子衍射 Reflection High Energy Electron Diffraction 生长模式 Self Assembed structures High-resolution TEM image of AlN/sapphire interface grown by MOCVD.The large Lattice mismatch between sapphire and AlN induces a dislocated interface with the thickness on The order of 1mL,after which the Al