西工大数字集成电路实验报告数集实验3.docxVIP

实验二 反相器(下)2.3 分析如下电路 上面的电路用两种方式实现了反相器。左图只使用了NMOS，右图则使用了CMOS（NMOS和PMOS）。ΦF=-0.3V。试完成：仿真得到两个电路的VTC图形。CMOS的VTC仿真图像SP文件：.TITLE CMOS INVERTER.options probe .options tnom=25.options ingold=2 limpts=30000 method=gear.options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12.protect .libC:\synopsys\cmos25_level49.lib TT.unprotect.global vddMn out in 0 0 NMOS W=.375u L=0.25uMp out in vdd vdd PMOS W=.75u L=0.25uVDD vdd 0 2.5VVIN in 0 0.DC VIN0 2.5V 0.1V.probe dc v(out).endNMOS的VTC仿真图像SP文件：.TITLE 3.2 CMOS INVERTER.options probe .options tnom=25.options ingold=2 limpts=30000 method=gear.options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12.protect .libC:\synopsys\cmos25_level49.lib TT.unprotect.global vddM2 out vdd vdd 0 NMOS W=.375u L=0.25uM1 out in 0 0 NMOS W=.75u L=0.25uVDD vdd 0 2.5VVIN in 0 0.DC VIN0 2.5V 0.1V.probe dc v(out).end计算两种电路的VOH，VOL及VM。可参考波形确定管子的工作状态。nmos:当Vin=2.5V时，N管导通阀值电压公式：又解得：当Vin=0V时，N管截止，Vout==2.5V当时，由于，M1工作在饱和区此时流过M1（速度饱和）的电流为：（1）流过M2的电流为（速度饱和）(2)（3）联立方程解得=1.08V 对于CMOS器件:当Vin=0时，当Vin=2.5时，当时，由于，NMOS与PMOS工作在饱和区由于，（=1.14V 哪一种结构的反相器的功能性更好，为什么？(噪声容限，再生性，过渡区增益)CMOSNMOSCMOS反相器更好。因为CMOS反相器的输出特性曲线的过渡区更窄，噪声容限更大。2.4 分析下面的buffer电路单位反相器的输入电容为10fF，为了驱动一个20pF的电容，在单位反相器（尺寸系数为1）后面新加了两级反相器如上图所示。单位反相器的本征延迟是70ps。如果输入栅电容和反相器尺寸成正比，试确定所加入反相器的尺寸（给出尺寸系数），要求使传播延迟最小。并计算出该最小延迟。代入数据，解得f=12.6代入数据，解得=3807.779 pS如果可以自由选择反相器链的级数来减小延迟，那么你会选择插入几级反相器？这个时候的传播延迟是多少？最小延迟对级数求导，可得代入数据 N = 6， 解得：=1910.8054 pS比较1和2两种方法改善延迟性能的优缺点。方法1的延迟大，但需要的反相器级数少，电路面积较小；方法2的延迟小，但需要的反相器级数多，电路面积较大。附：进行手工计算时可能用到的数据