西工大数字集成电路实验报告_实验2反相器(上)代码.docVIP

2. 计算出这个电路的VOH VOL及VIH VIL。（计算可先排除速度饱和的可能） Vin=0时，VOH=2.5V Vin=2.5时,假设NMOS 工作在临界饱和区： ，器件实际工作在线性区 ， ， 解得： 0.04633V 由图得：VOH=2.5V, VOL=0.0356V. 当时，NMOS 工作在饱和区 反相器阈值电压0.7932 此时 由图得：VIH=0.881V, VIL=0.0378V. SP文件： .TITLE 1.2UM CMOS INVERTER .options probe .options tnom=25 .options ingold=2 limpts=30000 method=gear .options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12 .protect .libC:\synopsys\cmos25_level49.lib TT .unprotect .global vdd Mn out in 0 0 NMOS W=1.5u L=0.5u *（工艺中要求尺寸最大0.5u） RL OUT VDD 75k VDD VDD 0 2.5V VIN IN 0 0 .DC VIN 0 2.5V 0.1V .op .probe dc v(out) .end 3. 分析电路噪声容限。计算NMH(高电平噪声容限)和NML(低电平噪声容限), 并使用HSPICE画出反相器的VTC曲线。 NMH=VOH - VIH=1.619V NML= VIL- VOL=0.0022V SP文件： .TITLE 1.2UM CMOS INVERTER .options probe .options tnom=25 .options ingold=2 limpts=30000 method=gear .options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12 .protect .libC:\synopsys\cmos25_level49.lib TT .unprotect .global vdd Mn out in 0 0 NMOS W=1.5u L=0.5u *（工艺中要求尺寸最大0.5u） RL OUT VDD 75k VDD VDD 0 2.5V VIN IN 0 0 .DC VIN 0 2.5V 0.1V .op .probe dc v(out) .end 4. 使用HSPICE画出RL=35k，75K，150k三种情况下的VTC。 （从左到右依次为RL=150k,75k, 35k） SP文件： .TITLE 1.2UM CMOS INVERTER .options probe .options tnom=25 .options ingold=2 limpts=30000 method=gear .options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12 .protect .libC:\synopsys\cmos25_level49.lib TT .unprotect .global vdd Mn out in 0 0 NMOS W=1.5u L=0.5u RL VDD OUT 75k VDD VDD 0 2.5V VIN IN 0 0 .DC VIN 0 2.5V 0.1V .probe V(out) .probe V(in) .alter .TITLE Exercise 2.1 RL = 150k RL Vdd out 150k .alter .TITLE Exercise 2.1 RL = 35k RL Vdd out 35k .end 5．对2的结果进行仿真验证。(tran 仿真；输入加脉冲，上升和下降时间都为5ns) 由图得：tPHL=; tPLH=s SP文件： .TITLE 1.2UM CMOS INVERTER .options probe .options tnom=25 .options ingold=2 limpts=30000 method=gear .options lvltim=2 imax=20 gmindc=1.0e-12 .protect .libC:\synopsys\cmos25_level49.lib TT .unprotect .global vdd Mn out in 0 0 NMOS W=1.5u L=0.5u *（工艺中要求尺寸最大0.5u） RL OUT VDD 75k CL OUT 0 3p VDD VDD 0 2.5V Vin in 0 PULSE(0 2.5v 100n 5n 5n 5u