第一讲半导体器件基础.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 例2: 二极管“与”门 (UD=0.3V) * * U I -IZ -IZM ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 五、稳压二极管 + - * * （3）最大稳定电流IZM （5）最大允许功耗 2、稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ （2）稳定电流 IZ （4）动态电阻 1、特点：反向击穿区非常陡峭。正常工作时处于反向击穿 稳压二极管 状态，工作点设在陡峭曲线的中间部分。 * * # 不加R可以吗？ 稳压二极管应用 当 不变时： 当 不变时： * * 一、基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 §1.4 半导体三极管 B E C IB IE IC B E C IB IE IC * * B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 一、基本结构 发射结 集电结 工作条件： 发射结加正向电压 集电结加反向电压 * * 二、电流放大原理 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 1、晶体管内部载流子的运动（以NPN型管为例） * * B E C N N P EB RB EC IE IC=ICE ICE 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 1、晶体管内部载流子的运动（以NPN型管为例） IB 二、电流放大原理 * * 二、电流放大原理 IB B E C N N P EB RB EC IE ICE IC + - +iB +iC +iE 直流放大倍数 交流放大倍数 * * 二、电流放大原理 共基直流电流放大倍数 以发射极直流电流IE作为输入电流，以集电极 直流电流IC作为输出电流 共基交流电流放大倍数 * * 三极管的工作状态 放大状态 ：发射结正偏，集电结反偏。 VBB 大于发射结开启电压 饱和状态：两个PN结均正偏。集电极电压降低， 漂移作用减弱，失去放大能力 截止状态：VBB 小于发射结开启电压，发射结反 偏或零偏；集电结反偏。IB、IC和IE 都非常小 倒置状态：相当于集、发对调使用,不能正常工作 * * 五、特性曲线 1、实验线路 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 输入特性曲线IB=f(UBE)|UCE=常数 输出特性曲线IC=f(UCE)|IB=常数 * * UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V 锗管UBE?0.2~0.3V UCE=0V UCE =0.5V 死区电压 硅管0.5V 锗管0.2V 2、输入特性 * * IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 输入特性曲线的特点 （1）UCE=0，相当于两个二极管 并联运用。 （2）UCE≠0时，整个曲线往右移 当UCE＞0.5V后，曲线几乎重合 （3）有一门限电压──晶体管开始导通时的基极电压 （硅管0.5V，锗管0.1V） （4）晶体管正常工作时，发射结的压降变化不大 （硅管0.7V，锗管0.3V） （5）输入特性是非线性的 * * IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 60?A IB=0 20?A 40?A 80?A 100?A 2、输出特性 * * IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A ★放大区：发射结正偏，集电结反偏。曲线平行等距，曲线的疏密反映了 ★截止区：发射结反偏，集电结反偏。IC≠βIB，IC=ICEO，此时VBE0.5v （4）整个曲线可分为三个区 ★饱和区：发射结正偏，集电结正偏。IC≠βIB,， UCE?0.3V 输出特性曲线的特点 （1）当IB=0时，IC≠0。这时的IC就是ICEO。 （2）UCE=0时，IC=0。发射区注入到基区的 电子不能被集电区所收集。当UCE＜1V， UCE↑→IC↑。 （3）UCE1V以后，随着UCE的增加，IC几乎 不变。曲线几乎平行等距。并且IB越大， 曲线越往上移。 β的大小。β=ΔIC/ΔIB，IC受IB控制。 * * 例：UCE=6