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掃描穿隧式顯微鏡（Scanning Tunneling Microscope，STM） 光電二甲-近代物理 學生: 499L0902 許主樂 499L0903 楊鎮嘉 499L0906 李岳澤 老師: 葉義生 微結構表面分析儀器 三種最為常用的微結構表面分析儀器― 1. 掃描式電子顯微鏡(SEM) 2. 掃描穿隧式顯微鏡(STM) 3. 原子力顯微鏡(AFM) 原理 STM 是利用量子穿隧效應（quantum tunneling effect）探測晶體表面原子結構的儀器。 在 STM中，是利用一隻十分尖銳的針尖移向固定在樣品承載器的樣品，使樣品表面和探針尖端的距離只有 5~10? 的大小，若在樣品和探針施一外加微小電壓，穿越樣品與探針間的位能障，使樣品表面和探針間產生電流，即為穿隧電流(Tunneling current)。 此穿隧電流的距離非常靈敏，若差 1? 距離，將造成穿隧電流變化一個數量級。所以利用穿隧電流隨該距離靈敏的改變，讓探針在樣本表面上來回掃描，對應記錄各點高度值，即能構成樣品表面的二維圖像。而穿隧電流是由探針流向樣品或由樣品流向探針，完全取決於外加電壓的大小。 STM結構的示意圖 1.掃描用的尖端 電子從掃描尖端 穿隧到樣本，產 生穿隧電流。 2.壓電控制掃描器 壓電晶體會隨著所受電壓的高低而產生非常微細的收縮 或膨脹。用於控制掃描尖端的水平位置 x，y，和z 3.距離控制器和掃描裝置 使用壓電原理控制位置的 精確度要求很高，因此需 要一個控制器粗略地把掃 描尖端帶到接近樣本的位 置，然後才讓壓電控制發 揮作用。 4.隔振系統 STM 用於測量極微細的位置 ，因此隔振是非常重要的。 5.計算機計算機記錄穿隧電流並控制施加於壓電管 的電壓，以產生樣本表面的三維地圖 掃描頭(scanner) 、探針(tip) STM 能精準的控制探針的上下及左右掃描，歸因於特殊材料―壓電陶瓷(piezoelectric ceramic)。壓電陶瓷是一種會隨著電壓變化而改變長度的材質，可用來建構 STM 的掃描頭，分別控制著 x、y、z 三個互相垂直的軸，而金屬針就位於 z 軸上。 進行掃描時，施加電壓在 x、y 軸，可驅動金屬針在樣品表面連續來回掃描；同時施加電壓於 z 軸，使之隨著回饋電路調整距離 。當穿隧電流高於設定值，z 軸縮短使穿隧電流減少；若低於設定值則伸長。 一般的探針是由鎢絲製備而成。 鎢:過渡金屬，防腐性好，可以被拉的很細，熔點非常高。 取像方式 常見的取圖法分為兩種： 1.定電流取像法（constant current mode）: 在掃描過程中固定穿隧電流值，即鎖定探針和樣品表面間的距離。因此探針必須隨樣品起伏調整高度，記錄調整的高度可繪出樣品表面影像。 優點:可以容忍掃描高低變化較大的樣品。 缺點: 因調整高度使掃描速率緩慢，且較易受低頻雜訊的干擾。 2.定高度取像法（constant height mode）： 在掃描過程中固定探針高度，因此探針和樣品表面間距會隨樣品高低起伏改變，同時改變穿隧電流值。直接記錄穿隧電流值，並利用電流值和該距離的關係式，即可繪出樣品表面影像。 優點:可作快速掃描以補捉一些 表面動態。 缺點: 若掃描樣品的表面起伏過大，易造成探針損壞。 應用 1. 表面動態學 連續的 STM 影像可以告訴我們原子、分子如何在表面運動、排列、堆積或進行化學反應等。 2. 表面電子特性 STM 除了提供表面原子的排列外，也能用來觀測表 面電子的分佈狀態。 由於穿隧電流在固定的距離時，是和針尖下樣品區域內的電子能態密度成正比。因此，利用上述的電流密度取像法，表面的電子結構可依不同的能級顯現出來；最有名的例子是 Hamers等人利用此法，將矽(111)的7 × 7 重構表面的電子能態密度的空間分佈清楚的展示。