微电子材料课件CH3-晶体生长讲解.ppt

微电子材料课件CH3-晶体生长讲解

1、h是热交换系数与热传导系数的比值。2、h大于0时,即环境冷却晶体,温度随着r的增大而降低,晶体中等温线凹向熔体。3、h小于0时,温度随着r的增大而升高。 * * 1、根据流体力学分析,在直拉法生长单晶的熔体中同时存在两种类型的液流。自然对流:在重力场中由于温差造成的。强迫对流:由于晶体和坩埚旋转造成的。 2、自然对流受容器的形状,重力场方向以及热源的位置等因素的影响。3、外侧加热的坩埚产生的自然对流花样如图所示,特征是:坩埚壁附近的熔体受热,密度变小而上升,到上表面冷却后密度变大而从中心下降。4、图3-16为水平舟中自然对流情况。 * 1、强迫对流:是为了加快热量和溶质的输运,改善均匀性,常常人为地对熔体进行搅拌。 * * * 1、直拉单晶炉的结构示意图。炉室用双层不锈钢制造,层中通水冷却,炉门有双层钢化玻璃做的观察窗。2、炉膛上下设有安放籽晶的籽晶杆和放坩埚的坩埚杆,可以旋转和上下运动,且速度可调。3、在炉膛侧面设有可以拉动的掺杂勺和籽晶保护罩。炉膛底部有两个通电用电极。此外,炉膛内还有抽真空或充气用的接口。 * 教材 * 润晶:将籽晶放在熔体上面烘烤几分钟后将籽籽晶与熔体接触。 * 区熔单晶炉结构。 * 教材P57,图3-24 * * 1、也就是体系对环境做功。2、其他相有自发转变为晶体的趋势。3、教材P31-32,晶体形成的热力学条件。 * 2-1、指某物质在一定温度下,

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档