【2017年整理】太阳电池用透明导电膜材料.docx

太陽電池用透明導電膜材料作者: yexuqing ?? 收录日期: 2009-01-12 ?? 发布日期: 2009-01-12太陽電池用透明導電膜材料2009/1/12[ [url=javascript:DocPrint(7482)]友 善 列 印[/url] | 推 薦 好 友 ]?由於大量使用石油和煤等化石能源容易助長地球暖化，而且隨著油價長期的波動不穩和對未來油源枯竭的疑慮，多使用太陽能這類清潔的能源是今後必然要走的路，因此太陽電池的製造開發成為當前眾所矚目的焦點。但是在太陽電池產業鏈中，矽原料的短缺限制了傳統單晶或多晶矽基太陽電池的發展，也是阻礙太陽電池降價及普及的重要因素之一。因此，以比較便宜的玻璃為基板的薄膜矽太陽電池，或是其他種類的太陽電池，例如染料敏化太陽電池(Dye-sensitized Solar Cell; DSSC)、銅銦硒(Copper Indium Diselenide; CIS)太陽電池和同系列的銅銦鎵硒(Copper Indium Gallium Diselenide; CIGS)太陽電池，也逐漸受到大家的重視。在這些太陽電池中，由透明導電氧化物(Transparent Conducting Oxide; TCO)薄膜構成的透明電極，其透光性與光滯留(Light Trapping)的效果會影響轉換效率，而電極的電阻又與串聯電阻損失直接相關，因此透明電極扮演著重要的角色。有別於LCD 中以氧化銦錫(Indium Tin Oxide; ITO)為主要的透明電極材料，太陽電池的透明電極材料是以氧化錫(SnO2)或氧化鋅(ZnO)為主，這是因為太陽電池與LCD 在製程和材料特性需求都不同的緣故。為了增加其導電性或化學穩定性，使用SnO2或ZnO 時都需要加入微量的其他元素，也就是摻雜物(Dopant)。SnO2的摻雜元素中，較常用的是銻(Sb)和氟(F)，摻雜後分別表示為SnO2:Sb (Antimony-doped Tin Oxide; ATO)及SnO2:F (Fluorine-doped Tin Oxide; FTO)；ZnO常用的摻雜元素是鋁(Al)和鎵(Ga)，摻雜後分別表示為ZnO:Al (AZO)和ZnO:Ga (GZO)。表一是ITO 、SnO2系列和ZnO 系列TCO 的一些特性比較表，做為透明電極材料，其中的電阻值自然是越低越好，穿透率是越高越好。表一、ITO、SnO2系列和ZnO 系列TCO 的特性比較在選擇SnO2系列或ZnO 系列時，除了考慮製程、設備和材料特性之外，如果使用導電玻璃基板的現貨，其價格與可取得性也是外在的限制因素之一。另外，因為這些TCO 材料有不同的特性，把兩種不同TCO 層堆疊起來形成複合電極，使它們各自發揮原有的優點，也是近來常見的方式。氧化錫/氧化鋅（詳文請連結至本文）各種太陽電池用的透明導電膜1. 薄膜矽太陽電池與傳統的單晶或多晶矽太陽電池相比，薄膜矽太陽電池發展的歷史較短，目前不同單位發表的薄膜矽太陽電池，其膜層結構在大同中也有小異，例如背面反射層/ 電極只使用金屬或使用TCO/ 金屬雙層結構的差異等。薄膜矽太陽電池的導電玻璃基板規格，目前市場上的現貨也沒有統一的標準。但整體而言，仍是朝著大面積（例如1.1×1.4 m2 以上）、足夠厚度(2.5~3 mm)、低電阻(≤10 Ω/□)和高穿透率（90% 以上）的趨勢演進。在膜層的組成方面，使用的材料似乎也不一定但是已經有AZO/FTO/SiO2/Glass 這樣的組合出現。薄膜矽太陽電池可根據結晶類型分為非晶矽(Amorphous Silicon; a-Si)和微結晶矽(Microcrystalline Silicon; μc-Si)兩種。典型的薄膜矽太陽電池剖面結構實例如圖三(a)~(c)所示，其中TCO 電極的表面畫成凹凸狀。薄膜非晶矽太陽電池不使用導電性最好的ITO 而使用SnO2，是因為薄膜非晶矽太陽電池的矽薄膜是以電漿CVD 在導電玻璃基板上（精確地說是在TCO 層上）成膜，而電漿是由SiH4氣體與氫氣形成，還原性很強；如果使用ITO ， ITO 中的銦離子(In3+)會有一部分被還原成金屬銦，使薄膜產生顏色，穿透率也由85% 劇降到20% 。如果使用抗還原性較好的SnO2 ，穿透率仍可保持在70% 以上。如果在SnO2的上面加上一層抗還原性更好的ZnO 薄膜（ 僅數nm厚），形成複合透明導電膜，其抗還原的能力會更好，上文提到的AZO/FTO 結構便可提供這樣的效果。在堆疊(Tandem)結構的薄膜矽太陽電池中，玻璃基板上的透明電極較早使用的是SnO2系列（如FTO），但近來也有使用ZnO 系列，使正面和背面的透明電極都是由ZnO 所組成的做法。前面提到過，透明電極表面的凹凸可以提高太陽電