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* LED的应用 目前,用于室内、外显示,采用LED点矩阵型模块的大型显示器正在迅速推广普及。由于采用LED点矩阵型模块结构,显示板的大小可由LED发光点密集排列成任意尺寸;发光颜色可以是从红到绿的任意单色、多色,甚至全色。灰度可以从十数阶到几十阶分阶调节。与专用IC相组合,也可由电视信号驱动,进行电视画面显示。 * LED的应用 光源 LED除用做显示器件外,还可用做各种装置、系统的光源。如电视机、空调等的遥控器的光源。在光电检测系统及光通信系统中,也可作为发射光源来使用。 当然在这两个领域中的应用有一定限制,如由于LED相干长度短,不适合做为大量程干涉仪的光源;在目前的数字光纤通信系统中,由于光纤存在色散特性, LED的宽光谱将导致脉冲的展宽,限制系统的通信容量, LED只适合于低速率、短距离光纤通信系统。 * 突破人类想象极限的叶鞘LED台灯 * 2.2.3 半导体激光器(LD) 世界上第一只半导体激光器是1962年问世的,经过几十年来的研究,半导体激光器得到了惊人的发展,它的波长从红外、红光到蓝绿光,被盖范围逐渐扩大,各项性能参数也有了很大的提高;其制作技术经历了由扩散法到液相外延法(LPE),气相外延法(VPE) ,分子束外延法(MBE),MOCVD方法(金属有机化合物汽相淀积),化学束外延(CBE)以及它们的各种结合型等多种工艺;其激射闭值电流由几百mA降到几十mA,直到亚mA,其寿命由几百到几万小时,乃至百万小时;输出功率由几毫瓦提高到千瓦级(阵列器件)。 它具有效率高、体积小、重量轻、结构简单、能将电能直接转换为激光能、功率转换效率高(已达10%以上、最大可达50%)。便于直接调制、省电等优点,因此应用领域日益扩大。目前,固定波长半导体激光器的使用数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域过去常用的其他激光器,已逐渐为半导体激光器所取代. * 2.2.3 半导体激光器(LD) 半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注人式、光泵式和高能电子束激励式。 绝大多数半导体激光器的激励方式是电注人,即给PN结加正向电压,以使在结平面区域产生受激发射,也就是说是个正向偏置的二极管,因此半导体激光器又称为半导体激光二极管。 对半导体来说,由于电子是在各能带之间进行跃迁,而不是在分立的能级之间跃迁,所以跃迁能量不是个确定值,这使得半导体激光器的输出波长展布在一个很宽的范围上.它们所发出的波长在0.3 -34pm之间.其波长范围决定于所用材料的能带间隙,最常见的是AlGaA:双异质结激光器,其输出波长为750 - 890nm。 * 带隙能级和铝相对含量的关系 铝含量增加,辐射光波长减小; 另一个重要的效应是当铝的相对含量从零增加到0.37时,折射率减小5%,因此,随着x的增加带隙增大而折射率减小。带隙几乎增加30%而折射率大约减小5%。 * 2.2.2 发光二极管(LED) 发光二极管是一种冷光源,是固态P-N结器件,加正向电流时发光。它是直接把电能转换成光能的器件,没有热转换过程,其发光机制是电致发光,辐射波长在可见光或红外光区。由于发光面积小,故可以视为点光源。 在光纤系统中作为光源使用的发光二极管与一般用作显示的发光二极管不同。光纤传感系统用的发光二极管的发射光波长应在光纤低损耗区,亮度高、工作可靠、调制效率高。发出非相干光的发光二极管有同质结或双异质结,有面发光的Burrus型发光二极管,也有边缘发光的二极管。在面发光结构中,同质结发光二极管可以达到15~25W/(sr·cm2),双异质结发光二极管可以达到50~200W/(sr·cm2)。边缘发光二极管的发光面积小,其亮度可以达到100W /(sr·cm2)。另外,单程增益的超辐射二极管(SLD)采用细长条形结构,端面发光,腔长约1000μm,其输出功率和亮度可接近半导体激光二极管。 * 2.2.2 发光二极管(LED) ——工作原理 发光二极管(light emitting diode,LED),是利用正向偏置 PN 结中电子与空穴的辐射复合发光的,是自发辐射发光,不需要较高的注入电流产生粒子数反转分布,也不需要光学谐振腔,发射的是非相干光。 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图所示。
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