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§ 3.2 半导体器件的开关特性 在 P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（离子）是固定不动的。 N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。 PN结 (PN junction ) 　 在一块单晶半导体中，一部分掺有杂质是 P型半导体，另一部分掺有杂质是N型半导体时，P型半导体和 N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。 PN结 当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。 P型半导体一边的空间电荷是负离子,N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。 图3.2.1 二极管开关电路 图3.2.3 二极管伏安特性的几种近似方法 图3.2.5 双极型三极管的两种类型 (a)NPN型 (b)PNP型 NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大 1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流iE。 2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄，其多数载流子（空穴）浓度很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合，形成比较小的基极电流iB，而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。 3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流iC。 图3.2.6 双极型三极管的特性曲线 (a)输入特性曲线 图3.2.6 双极型三极管的特性曲线 (b)输出特性曲线 图3.2.6 双极型三极管的特性曲线 (b)输出特性曲线 图3.2.9 双极型三极管的开关等效电路 (a)截止状态 (b)饱和导通状态 主要内容 TTL反相器的电路结构和工作原理 TTL与非门电路的结构与工作原理 TTL反相器的特性 集电极开路的门电路 三态输出门电路 TTL电路的改进系列 § 3.5 MOS门电路 1、MOS管的结构和符号 金属—氧化物—半导体场效应管(Metal-Oxide-semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOS) MOS管的基本开关电路 MOS管的开关等效电路图 (a)截止状态 (b)导通状态 四种类型的MOS管 网上资料 三极管工作原理 /v_show/id_co00XMTE0NTc3Mg==.html MOS管原理 /slzlly/blog/item/dc861508f1bfe935e8248853.html 夹断区： VGS VGS(th)，ID=0 ——D、S间相当于开关断开。 可变电阻区：UGS?Uth ， UDS ? 0V ——D、S间相当于开关闭合。 vi t vo t +VDD 0V 返回 P沟道增强型MOS管的符号 P沟道耗尽型MOS管的符号 N沟道增强型MOS管的符号 N沟道耗尽型MOS管的符号 MOS电路的特点： 3. 是电压控制元件，静态功耗小。 3. 允许电源电压范围宽（3?18V）。 4. 扇出系数大，抗噪声容限大。 优点 1. 工艺简单，集成度高。 缺点：工作速度比TTL低 。 2. MOS反相器 0 UDS ID ui=“1” ui=“0” uo=“0” uo=“1” 3. CMOS反相器 NMOS管 PMOS管 工作原理： ui=0时： ugs2=?UCC ， T2导通、T1截止，uo=“１”； ui=1时： T1导通、T2截止，uo=“0”。 UCC S T2 D T1 ui uo D S Complementary -Symmetry MOS) 互补对称式MOS T1 : ON T2: OFF 同一电平: OFF ON 4. CMOS与非门 工作原理: +UDD A Y T2 T1 B T3 T4 S S S S G G 结构 0 0 ? ? ? ? 1 0 1 ? ? ? ? 1 1 0 ? ? ? ? 1 1 1 ? ? ? ? 0 A B T1 T2 T3 T4