集成电路设计方法--复习提纲.docVIP

什么叫IC 的集成度？目前先进的IC规模有多大？ 集成度就是一块集成电路芯片中包含晶体管的数目，或者等效逻辑门数 2012年5月 71亿晶体管的NVIDIA的GPU 28nm 什么叫特征尺寸？ 特征尺寸通常是指是一条工艺线中能加工的最小尺寸，反映了集成电路版图图形的精细程度，如MOS晶体管的沟道长度，DRAM结构里第一层金属的金属间距（pitch）的一半。 目前主流的硅圆片直径是多少？ 12英寸 什么叫NRE(non-recurring engineering)成本? 支付给研究、开发、设计和测试某项新产品的单次成本。在集成电路领域主要是指研发人力成本、硬件设施成本、CAD工具成本以及掩膜、封装工具、测试装置的成本，产量小，费用就高。 什么叫recurring costs？ 重复性成本，每一块芯片都要付出的成本，包括流片费、封装费、测试费。也称可变成本，指直接用于制造产品的费用，因此与产品的产量成正比。包括：产品所用部件的成本、组装费用以及测试费用。 什么叫有比电路？ 靠两个导通管的宽长比不同，从而呈现的电阻不同来决定输出电压，它是两个管子分压的结果，电压摆幅由管子的尺寸决定。 IC制造工艺有哪几种？ 双极型模拟集成电路工艺、CMOS工艺、BiCMOS工艺 什么叫摩尔定律？摩尔定律面临什么样的挑战？ 当价格不变时，积体电路上可容纳的电晶体数目，约每隔24个月（现在普遍流行的说法是“每18个月增加一倍”）便会增加一倍，性能也将提升一倍；或者说，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上(功耗、带宽等)需求下，将硅基CMOS和非硅基等技术相结合，以提供完整的解决方案来应对和满足层出不穷的新市场发展。 挑战：a单芯片的处理速度越来越快，主频越来越高，热量越来越多b.互联线延迟增大 解决方案：1.多核、低功耗设计2.3D互联、无线互联、光互连 延续摩尔定律“尺寸更小、速度更快、成本更低”，还会利用更多的技术创新：节能、环保、舒适以及安全性 架构：多核 散热：研发新型散热器 更薄的材料：用碳纳米管组装而成的晶体管 速度更快的晶体管：超薄石墨烯做的晶体管 纳米交叉线电路元件： 忆阻器 光学互联器件 分子电路、分子计算、光子计算、量子计算、生物计算 IC按设计制造方法不同可以分为哪几类？ 全定制IC：硅片各掩膜层都要按特定电路的要求进行专门设计 半定制IC：全部逻辑单元是预先设计好的，可以从单元苦衷调用所需单元来掩模图形，可使用相应的EDA软件，自动布局布线 可编程IC：全部逻辑单元都已预先制成，不需要任何掩膜，利用开发工具对器件进行编程，以实现特定的逻辑功能。 列举静态CMOS反相器的特性？ 1.输出时满摆幅，这样就具备高的噪声容限； 2.无比逻辑，输出与器件的相对尺寸无关； 3.低输出阻抗，它对噪声和干扰不敏感，输出典型值在K欧数量级 4.高输入电阻，维态输入电流几乎为0，理论上可以驱动无穷多个门，但扇出越大，瞬 态响应越差。 5.不消耗任何静态功耗 给出 Noise Margin 的定义？ 噪声容限是指在前一级输出为最坏的情况下，为保证后一级正常工作，所允许的最大噪 声幅度，分为(低电平噪声容限）和（高电平噪声容限）。 分别为输出额定高电压和输出额定低电压，用来界定可接受的高电压和 可接受的低电压，他们代表VTC增益等于-1的点。 在答这道题的时候最好把图画上去。 开关阈值VM的定义 开关阈值VM定义为Vin=Vout的点。 提高CMOS反相器的P或提高N管的强度，开关阈值如何改变？ 提高P管的驱动强度就是增大p管的宽长比，开关阈值将变大。反之，开关阈值减小 什么叫工艺角？什么叫PVT（process，voltage，temperature）？ 在不同的晶片之间以及在不同的批次之间，MOSFETs参数变化很大。为了在一定程度上减轻电路设计任务的困难，我们把NMOS和PMOS晶体管的速度波动范围限制在由四个角所确定的矩形内，形成工艺角。工艺角包含TT、SS、FF、SF、FS. 设计除了要满足工艺角外，还需要满足电压和温度等条件，形成PVT条件。 最坏的延迟一定出现在SS工艺角吗？ 最好最坏的定义因不同类型的设计有所不同。最坏的延迟也不都出现在ss。 采用串联反相器链后，与没有采用串联反相器链前的延迟相比，哪个大？ 不一定，串联反相器链的级数是有个最优值的，超过最优值后，随着反相器链的增加延时是增加的，若没超过最优值，随反相器链的增加延时减小。 什么叫静态电路？什么叫动态电路？ 静态电路是指每个时刻每个门的输出通过一个低阻抗路径连到VDD或VSS上，同时在任何时刻该门的输出即为该电路实现的布尔函数值（忽略在切换期间的瞬态响应）。动态电路是指电路依赖于把信号值暂时存放在高