钽铌酸钾锂晶体光学性质的研究.docxVIP

稀土掺杂钽铌酸钾锂晶体的生长 13S011060 王建俊 随着科技的发展，在高密度光学存储、彩色显示、光电子、光刻领域对短波长蓝绿光源的迫切需求，掀起科学家对短波长全固态激光器和激光材料的研究和开发热潮。激光材料是激光研究的第一要素，全世界众多科学家进行开发和设计具有新颖光学物理效应的发光材料。基于实际应用目的，大量的研究是针对开发能够利用长波长光源泵浦产生短波长发光的新材料。到目前为止，利用非线性光学晶体的二次谐波产生（SHG）、半导体直接跃迁发光和利用稀土离子的频率上转换是较为成熟的三种实现短波长激光输出的方法。利用这三种方法实现短波长激光输出均需要有合适的材料为基础。而我们这里主要介绍利用稀土离子掺杂钽铌酸钾锂晶体得到短波长光的一种方法。 钽铌酸钾锂（KLTN）晶体是钽酸钾锂（KLT）和铌酸钾锂（KLN）的固溶体混晶，是在钽铌酸钾（KTN）晶体基础上通过元素掺杂改性发展而来。这类晶体的生长相图中没有固液同成分点，且在生长过程中组分分凝现象严重，所以很难生长出成分均匀的晶体。此类晶体可以通过调节钽铌含量比和钾锂含量比来控制其居里温度点和晶体结构类型，并且由此能够使其在室温下呈现出立方相、四方相和正交相。所以可以根据不同的需要，通过改变晶体的组分来控制其晶体结构和居里温度，进行晶体设计和优化晶体性能。研究表明稀土离子的发光需要所处环境的晶体场使其发生宇称混杂，所以大的非对称性晶体场能够促进稀土离子发生宇称混杂并产生吸收和发光现象。 KLTN 单晶一般采用熔体法生长，常用的有逐步降温法、熔盐提拉法和顶部籽晶助熔剂法等。本文主要介绍利用逐步降温法探索稀土掺杂 KLTN 单晶的生长组分以及生长温度，首次成功生长出 Er3+离子掺杂 KLTN 单晶，并用提拉法生 长多块 Er3+:KLTN 和 Er3+/Yb3+:KLTN 单晶。提拉法生长稀土掺杂 KLTN 单晶具有生长工艺简单，生长周期短（约一周），且生长的晶体尺寸在厘米量级等优点。 下面对逐步降温法和提拉法两种方法生长稀土掺杂KLTN单晶其生长原理和方法做简要说明。 逐步冷却法，是将晶体生长的熔体通过缓慢降温，使熔体温度缓慢经过结晶点，熔体在结晶点能够通过自身结合力自发的出现凝结核，并且能够以凝结核为中心不断的自发结晶在一起，从而生长出单晶。因此逐步冷却法也被称为自发成核法或者自组装法。此方法最早由 R. Ilangovana 等应用于生长组分均匀的 KTN 晶体，并成功生长出透明、均匀、无生长条纹的晶体，生长得到质量较好的单块晶体的尺寸为 4×3×3 mm3。因为熔体在结晶点便开始结晶生长，所以理想的状态是保持熔体在结晶点延长生长时间从而获得大块单晶。但是实际在生长过程中，结晶点不可能准确预测到。逐步冷却法一般的生长设备为马弗炉，操作者不便于观察炉内生长状态，所以无法精确控制其结晶点。实验操作中需要尽量减缓结晶点附近的降温速度，再配合一定时间的保持使熔体缓慢经过结晶温度，使其尽量减少结晶核的数量并尽可能的增加结晶时间，从而生长出体积较逐步降温法具有很明显的优点，如生长的晶体组分均匀、光学质量好、消耗时间短（3 天左右）、设备简单并且能够实现无人值守生长。尤其适合摸索新组分晶体的生长，能够大幅度的节约生长时间、降低生产和人力成本。但缺点是不能生长出尺寸足够大的晶体，限制了晶体的应用。大的单晶。 因为之前从未有关稀土掺杂 KLTN 单晶生长的报道，无从得知适合稀土掺杂的 KLTN 的详细组分配比。经反复试验验证，本课题组经常用的提拉法生长的立方顺电相 KLTN 单晶原料配比并不能实现稀土离子的掺杂生长。本课题前期工作便是利用逐步降温法摸索适合稀土掺杂 KLTN 的组分。实验所用设备为西安百瑞科技发展有限责任公司生产的 P-JH2 型马弗炉，炉体控温精度为±0.1℃，最高温度 1400 ℃。因为 KLTN 体系过于复杂，初期首先着手于相对较为成熟和简单的 KLN 体系的 Er3+离子掺杂晶体生长的摸索。得到能够成功生长出晶体的原料配比后再用 Ta 元素替代部分 Nb 摸索生长稀土掺杂 KLTN单晶。 提拉法又名丘克拉斯基法（Czochralski 法），是一种利用籽晶从熔体中提拉生长出单晶的方法。此方法被广泛应用于生长光学晶体，如铌酸锂（LiNbO3）、铌酸钾锂（KLN）、钽酸钾锂（KTN）、蓝宝石、红宝石、钇铝石榴石（YAG）和钆镓石榴石（GGG）等。提拉法具有便于观察控制、生长速率快并且能够定向生长出质量很高的优质单晶等优点。本文后续光谱研究所用的晶体均为提拉法生长的掺杂 KLTN 单晶。 提拉法生长掺杂 KLTN单晶的炉膛示意图如图 2-3 所示。 提拉法生长KLTN单晶示意图 晶体生长过程中，单晶炉提拉杆转速设定为 6～10 r/min，提拉速度设定为 0.3～0.5