用霍尔元件测量磁场.doc

实验三 霍尔效应法测量半导体的载流子浓度、电导率和迁移率 实验项目性质：所涉及课程：计划学时：2学时 （1） 其中e为载流子（电子）电量， 为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B为磁感应强度。 （a） （b） 图(1) 样品示意图 无论载流子是正电荷还是负电荷，Fg的方向均沿Y方向，在此力的作用下，载流子发生便移，则在Y方向即试样A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而在试样A、A′两侧产生一个电位差VH，形成相应的附加电场E—霍尔电场，相应的电压VH称为霍尔电压，电极A、A′称为霍尔电极。电场的指向取决于试样的导电类型。N型半导体的多数载流子为电子，P型半导体的多数载流子为空穴。对N型试样，霍尔电场逆Y方向，P型试样则沿Y方向，有 显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，试样中载流子将受一个与Fg方向相反的横向电场力： FE=eEH （2） 其中EH为霍尔电场强度。 FE随电荷积累增多而增大，当达到稳恒状态时，两个力平衡，即载流子所受的横向电场力e EH与洛仑兹力相等，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有 （3） 设试样的宽度为b，厚度为d，载流子浓度为n，则电流强度Is与的 关系为 （4） 由（3）、（4）两式可得 （5） 即霍尔电压VH（A、A′电极之间的电压）与IsB乘积成正比与试样厚度d成反比。比例系数称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。由式（5）可见，只要测出VH（伏）以及知道Is（安）、B（高斯）和d（厘米）可按下式计算RH（厘米3／库仑）。 （6） 上式中的108 是由于磁感应强度B用电磁单位（高斯）而其它各量均采用C、G、S实用单位而引入。 注：磁感应强度B的大小与励磁电流IM的关系由制造厂家给定并标明在实验仪上。 霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件，对于成品的霍尔元件，其RH和d已知，因此在实际应用中式（5）常以如下形式出现： VH=KHIsB （7） 其中比例系数 KH= 称为霍尔元件灵敏度（其值由制造厂家给出），它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。Is称为控制电流。（7）式中的单位取Is为mA、B为KGS、VH为mV，则KH的单位为mV/（mA·KGS）。 KH越大，霍尔电压VH越大，霍尔效应越明显。从应用上讲，KH愈大愈好。KH与载流子浓度n成反比，半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，因此用半导体材料制成的霍尔元件，霍尔效应明显，灵敏度较高，这也是一般霍尔元件不用金属导体而用半导体制成的原因。另外，KH还与d成反比，因此霍尔元件一般都很薄。本实验所用的霍尔元件就是用N型半导体硅单晶切薄片制成的。 由于霍尔效应的建立所需时间很短（约10-12—10-14s），因此使用霍尔元件时用直流电或交流电均可。只是使用交流电时，所得的霍尔电压也是交变的，此时，式（7）中的Is和VH应理解为有效值。 根据RH可进一步确定以下参数 1．由RH 的符号（或霍尔电压的正、负）判断试样的导电类型 判断的方法是按图（1）所示的Is和B的方向，若测得的VH＝VAA＇＜0，（即点A的电位低于点A′的电位）则RH 为负，样品属N型，反之则为P型。 2．由RH求载流子浓度n 由比例系数 得。 应该指出，这个关系式是假定所有的载流子都具有相同的漂移速率得到的，严格一点，考虑载流子的漂移速率服从统计分布规律，需引入3π/8 的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著半导体物理学）。但影响不大，本实验中可以忽略此因素。 3．结合电导率的测量，求载流子的迁移率μ 电导率σ与载流子浓度n以及迁移率μ之间有如下关系： σ＝n eμ （8） 由比例系数 得，μ＝|RH|σ，通过实验测出σ值即可求出μ。 根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系