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第四章 根轨迹法 一、教学目的及基本要求1、掌握根轨迹的绘制规则 2、掌握根轨迹的绘制规则 3、掌握典型系统的根轨迹绘制 4、掌握部分非最小相位系统的根轨迹绘制 5、掌握参变量根轨迹的绘制 重点与难点1、根轨迹的绘制规则及分离点和出射角、入射角的计算 2、根轨迹和根轨迹的绘制规则的区分 3、非最小相位系统的根轨迹的绘制 4、参变量根轨迹的绘制第四章 根轨迹法 （1） 反馈系统的根轨迹 （2） 绘制根轨迹的基本规则 （3） 典型反馈系统的根轨迹分析 K）由零到无穷大变化时，闭环特征根在S平面上移动的轨迹，称为系统的根轨迹。 绘制根轨迹时，先要在S平面绘出系统的开环零点和极点——零极点分布图。图中开环零点用“○”表示，开环极点用“×”表示，特征根用“· ”表示；根轨迹上应标出箭头，表示随着参数K值增加时，根轨迹的变化趋势。根轨迹上标出的数值，代表与闭环极点位置相应的开环增益K的数值。 根轨迹方程得自反馈系统的特征方程，其求取步骤是： 1.写出反馈系统的特征方程，即 式中 G(s) ——反馈系统前向通道传递函数；H(s) ——反馈系统主反馈通道传递函数； G(s)H(s) —— 反馈系统的开环传递函数；“+”号对应负反馈系统；“-”号对应正反馈系统。 2绘制反馈系统根轨迹的根轨迹方程，即 （负反馈系统） 及 （正反馈系统） 绘制反馈系统根轨迹之前，需对根轨迹方程中的开环传递函数G(s)H(s)化成通过极点与零点表达的标准形式，即 式中: k ——绘制根轨迹的可变参数，称为惨变量， 0≤k∞如例1中的k=2K； pi ——(i=1，2，3，…，n)为系统的开环极点； zi——(i=1，2，3，…，m)为系统的开环零点。 注意:开环传递函数的标准形式必须具有下列特征 1) 参变量k必须是G(s)H(s)分子连乘因子中的一个； 2) G(s)H(s)必须通过其极点与零点来表示； 3) 构成G(s)H(s)分子、分母的每个因子（ s-zi) (i=o，1，2 ，…，m )及（ s-pi) (i=o，1，2 ，…，n)中s的项系数必须是+1。 4.得到的根轨迹方程为180((负反馈系统)根轨迹，即 或写成 (幅值条件) (相角条件) 具有标准形式的开环传递函数求得的根轨迹方程为0((正反馈系统)根轨迹，即 或写成 (幅值条件) (相角条件) 5. 在上列各式中| G(s)H(s )s|、及∠G(s)H(s)分别为开环传递函数的模与相角，求得为 |s-zi|、|s-pi|——式中幅向量差s-zi 、 s-pi之模； ∠（ s-zi )、∠(s-pi )、幅向量差s-zi 、 s-pi之相角或复角。 综上分析得知，凡同时满足幅值条件与相角条件，就是在给定参数下反馈系统特征方程的根，或为反馈系统的闭环极点。由于根轨迹包含参变量k在0~∞范围内变化时反馈系统特征方程的全部根，所以在s平面上只要能满足相角条件的点si都将是对应一定参变量ki的系统特征方程的根。也就是说，在s平面上，凡能满足相角条件的点所描述的图形便是系统的根轨迹图。这说明，绘制反馈系统根轨迹图所依据的仅仅是其根轨迹的相角条件。而根轨迹方程的幅值条件，只用于计算根轨迹上确定点si对应的参变量值ki。 4.2 绘制根轨迹的基本规则 为了简化绘制根轨迹的过程，在总结人们经验作图的基础上，美国学者W.R.Evans归纳出一套绘制根轨迹的规则。利用这些规则，可以较方便而迅速地绘制出概略根轨迹。 规则一 根轨迹的分支数（条数） 根轨迹在S平面上的分支数等于闭环特征方程的阶数n,也就是分支数与闭环极点的个数相同。 这是因为n阶特征方程对应有n个特征根，当开环增益K由零变到无穷大时，这几个特征根随K变化必然会出现n条根轨迹。 规则二 根轨迹的对称性 根轨迹对称于实轴。 因为闭环极点若为实数，则一定位于实轴上，若为复数，则一定是共轭成对出现，所以,根轨迹必定对称于实轴。 利用这条规则，一般只需绘制实轴上半部的根轨迹图即可得到整个根轨迹。 规则三 根轨迹的起点与终点 1、定义：K* =0时根轨迹上所对应的点称为起点； K*=∝