4第4章半导体的导电性.pptVIP

* 2.电阻率与杂质浓度和温度的关系 半导体的电阻率一般表示为 (3-17) 它取决于载流子浓度和迁移率。而后者又与掺杂浓度和温度有关。考虑到生产实践中的方便，一般固定温度，研究电阻率和掺杂浓度的关系，或者固定掺杂浓度，研究电阻率与温度之间的关系。 * * §3-4强电场效应 前面讨论半导体电导时，认为电流密度与电场强度的关系服从欧姆定律，即J＝σE，电导率σ与场强无关。实验表明，在外电场E不很强时，载流子迁移率是一个常数，平均漂移速度vd＝μE，欧姆定律成立。但是当电场超过一定强度后，J与E的关系偏离欧姆定律，这说明迁移率就不再是一个常数了，平均漂移速度随外电场的增加速率开始缓慢，最后趋于一个不随场强变化的定值，称为饱和漂移速度。这就是所谓强电场效应。 * 前言， * 第四章半导体的导电性 电场和磁场中，载流子的运动现象和规律。 本章内容：1，载流子在外加电场作用下的漂移运动，漂移电流表达式。2，材料的迁移率、电导率、电阻率等，并讨论影响这些参数的因素； 小节： 3-1载流子的漂移运动 3-2载流子的散射 前言 3-1载流子的漂移运动 载流子热运动不会产生电流。 载流子在电场中的定向运动将形成电流。 漂移运动：由电场作用而产生的、沿电场力方向的运动为漂移运动 漂移电流：由载流子的漂移运动所引起的电流称为漂移电流。 前言 * 1．欧姆定律的微分形式 其中ρ为材料的电阻率，单位Ω·cm。σ为电导率，常用单位是S·cm-1。 1，从均匀情况导出的，同样适用于非均匀情况。 2，半导体中某点的电流密度正比于该点的电场强度，比例系数为电导率σ。 前言 * 2．漂移速度和迁移率 漂移速度：vdn和vdp分别为电子和空穴的平均漂移速度。 迁移率：单位电场下电子和空穴的平均漂移速度。分别用μn和μp表示电子和空穴迁移率，单位为cm2·V-1·s-1。 在不同的半导体材料中，μn、μp不同；在同一种材料中，μn和μp也不同 前言 * ?漂移电流 前言 * ?迁移率 载流子的平均漂移速度与电场强度成正比，通常用μ表示其比例系数，称为迁移率 μn和μp分别称为电子和空穴迁移率。它表示在单位电场下电子和空穴的平均漂移速度，单位为cm2·V-1·s-1。 前言 * 3．半导体的电导率 前言 * §3-2载流子的散射 1．迁移率和平均自由时间 载流子在两次散射之间的时间间隔叫做自由时间t。在这段时间内所经过的距离叫做自由路程。 自由路程的平均值，即叫做平均自由程l 。 前言 * τn表示电子的平均自由时间， τp表示空穴的平均自由时间。 平均自由时间和载流子的迁移率成正比。 平均自由时间与散射几率成倒数关系 。 前言 * 2．半导体中的主要散射机构 (1)晶格振动散射 ①声学波散射：迁移率和温度反比。 ②光学波散射： (2)电离杂质的散射 (3)其他散射机构 ①中性杂质散射 ②位错散射 ③载流子之间的散射 等 前言 * 电离散射 前言 * §3-3迁移率和电阻率随杂质浓度及温度的变化 1.迁移率与杂质浓度和温度的关系 常用半导体锗、硅中起主要散射作用的是晶格纵声学波散射和电离杂质散射。 前言 * 迁移率-温度实验曲线 前言 * 2.电阻率与杂质浓度和温度的关系 半导体的电阻率取决于载流子浓度和迁移率。而后者又与掺杂浓度和温度有关 前言 * 电阻率随温度的变化：对于本征半导体，本征载流子浓度ni随温度的上升而急剧增加。而迁移率随温度升高而下降较慢，所以本征半导体的电阻率随温度增加而单调地下降， 前言 * §4-5,4-6,4-7,参考学习，不作要求 **强电场效应* 实验表明，在外电场E不很强时，载流子迁移率是一个常数，平均漂移速度vd＝μE，欧姆定律成立。但是当电场超过一定强度后，J与E的关系偏离欧姆定律，这说明迁移率就不再是一个常数了，平均漂移速度随外电场的增加速率开始缓慢，最后趋于一个不随场强变化的定值，称为饱和漂移速度。这就是所谓强电场效应。 结论：强电场下，迁移率不是常数。随电场增强而下降。 前言 * **强电场效应* * * * 1．欧姆定律的微分形式 在许多实际问题中，通过半导体的电流往往是不均匀的。例如，生产过程中的测试，多数使用探针，因而形成一个以探针针尖为中心，沿半径散开的电流分布，如图3-2所示。此时，不能只考虑总的电流密度，必须具体地分析电流的不均匀分布。 为了描述半导体内各点电流强弱的不均匀性，通常采用欧姆定律的微分形式，即 (3-1) 其中，J为电流密度，E为外加电场强度。公式(3-1)很容易从熟知的欧姆定律 50 (3-2) 导出。取一个长为l，横截面为s的均匀导电体，如图3-3所示。当两端加电压V时，电流是均匀的，电流密度处处相同。利用 (3-3