半导体的导电性讲义.ppt

4.1.1 复习欧姆定律： 主要散射机构： 电离杂质散射 晶格振动的散射 等同的能谷间散射 中性杂质散射 位错散射载流子之间的散射 室温下，本征硅的?约为2.3×105Ω·cm，本征锗（禁宽小）?约为47Ω·cm。 电阻率决定于载流子浓度和迁移率，与杂质浓度和温度有关。 4.4.1 电阻率和杂质浓度的关系 图4-15是锗、硅和砷化镓（温度定）300K时?随杂质变化的曲线（非补偿或轻补偿）。 ? A：轻掺（杂质浓度1016～1018cm-3）， 迁移率随杂质浓度的变化较小 杂质浓度增高时，非线性曲线。原因： 一是杂质在室温下不能全部电离，重掺杂的简并半导体中情况更加严重； 二是迁移率随杂质浓度的增加将显著下降。 由电阻率可确定所含杂质的浓度。材料越纯，电阻率越高（不适于高度补偿的材料）。 4.4.2 电阻率随温度的变化 1）本征半导体 2）掺杂半导体：杂质电离、本征激发同时存在，电离杂质散射和晶格散射机构的存在，电阻率随温度的变化关系复杂。（AB BC C三段） 硅?与T关系 0 ? A B C T AB段 温度很低，本征激发可忽略，载流子主要由杂质电离提供，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率也随温度升高而增大，所以，电阻率随温度升高而下降。 T 硅?与T关系 0 ? A B C T BC段 温度继续升高，杂