半导体照明技术：第九章 铟镓氮发光二极管讲义.pptVIP

第九章 铟镓氮发光二极管 MOCVD: Basic MOCVD: Basic 9.1 GaN生长 GaN有好的热稳定性和化学稳定性，在加热和光照时能缓慢溶解于强碱中。 GaN及其三元化合物晶体的稳定结构为具有六方对称性的纤锌矿结构，立方对称性的闪锌矿结构是亚稳相，高压下为NaCl结构。 9.1 GaN生长 1969年，美国无线电公司的Maruska用气相外延的方法在蓝宝石衬底上首次生长出单晶GaN。 Pankove等人在1971年MIS结构的绿光和蓝光发光器件。 Maruska首次采用Mg掺杂以制作P型GaN，得到的MIS结构是辐射在430nm的紫色LED 赤崎勇（Akasaki）1989年使用AlN 缓冲层和低能电子辐照技术制造了第一 个PN结GaN基LED。 9.1.1 未掺杂GaN 通常在1000℃左右用MOCVD方法在（0001）晶向的蓝宝石衬底上生长GaN薄膜，晶格失配为17% 未掺杂的GaN通常是n型导电性，施主主要是缺陷或残留杂质，如氮空位和残留氧。 目前流行的方法是用低温的GaN作为缓冲层。氢气氛中加热到1050度，降温到500度左右生长GaN缓冲层，然后升温到1050度生长GaN薄膜。 9.1.1 未掺杂GaN 9.1.2 n型GaN 常使用SiH4作为n型掺杂剂，电子的浓度随SiH4的流速线性改变。一般掺杂浓度在1017~1018cm-3最佳。