半导体物理_第七章_金属和半导体的接触讲义.ppt

习题 发射出来的电子能量： E=E0-W=6.7-2.5=4.2 eV （2）波长为185 nm的紫外光光子的能量为 习题 习题 * * 该理论是用于迁移率较小，平均自由程较短的半导体，如氧化亚铜。 7.2.2 热电子发射理论 ——适用于薄阻挡层 ln d ——势垒高度 k0T ——非简并半导体 1.热电子发射理论的适用范围： 2.热电子发射理论的基本思想： 薄阻挡层，势垒高度起主要作用。 能够越过势垒的电子才对电流有贡献 ——计算超越势垒的载流子数目，从而求出电流密度。 3.势垒区的伏安特性 Ge、Si、GaAs有较高的载流子迁移率、较大的平均自由程， 主要是热电子发射。 需修正:①镜像力；②隧道效应 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 E 正向电压使得势垒降低，形成自外向内的空穴流， 它形成的电流与电子电流方向一致。 在势垒区域，空穴的浓度在表面最大。 7.3.1 少数载流子的注入 在正向电压作用下，金属和n型半导体接触使得半导体中空穴浓度增加的现象称为少子的注入。 实质上是半导体价带顶部附近的电子流向金属，填充金属中EF以下的空能级，而在价带顶附近产生空穴。 加正向电压时，少数载流子电流与总电流值比称为少数 载流子的注入比，用 表示。对n型阻挡层而言： 1、什么是欧姆接触？ 7.3.2 欧姆接触 欧姆接触应满足以下三点： 1、伏安特性近似为线性，且是对称的；