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2017-02-17 发布于天津
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T13-C-国家奈米元件实验室.ppt

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T13-C-国家奈米元件实验室.ppt

National Nano Device Laboratories Create for the future 國家奈米元件實驗室垂直爐管標準製程標準製程垂直爐管 Tube1_Dry Oxide Description：Dry Oxide是以APCVD的方式成長，通入純氧跟矽基板反應形成SiO2，薄膜成長速度慢，適合用於成長較薄的氧化層。反應氣體：反應溫度：800-900 ℃ Application： Gate Oxide、犧牲氧化層、Pad Oxide。 Tube1_Wet Oxide Description：Wet Oxide是以APCVD的方式成長，用氫氧點火的方式產生水氣，水氣再跟矽基板反應形成SiO2，適合用於成長較厚的氧化層。反應氣體：反應溫度：900-1000 ℃ Application：適合用於 MOSFETs 的場氧化層(Field Oxide)製程。 2O2 + H2 ? 2H2O Si + H2O ? SiO2 + 2H2 T2_N+ Poly-Si Description：N+ Poly-Si是以LPCVD的方式沈積，適用於 MOSFETs的閘極製程。此Poly-Si 摻雜PH3，經回火後，阻值降低。反應氣體：SiH4、PH3沈積溫度：550 ℃沈積壓力：600 mtorr Application：適合用於 MOSFETs 的閘極製程。 Tube2_Poly-Si Description：Poly-Si是以水平爐管LPCVD的方式沈積，適用於 MOSFETs的閘極製程。此Poly-Si 並未摻雜，阻值高，一般會以離子佈植做摻雜，加溫回火(Anneal)，使阻值降低。反應氣體：沈積溫度：623 ℃沈積壓力：200 mtorr Application：適合用於 MOSFETs 的閘極製程。 SiH4 ? Si + 2H2 Tube2_α-Si Description：α-Si是以LPCVD的方式沈積，適用於 MOSFETs的閘極製程。此α-Si並未摻雜，阻值高，一般會以離子佈植做摻雜，加溫回火(Anneal)，使阻值降低。反應氣體：沈積溫度：550 ℃沈積壓力：200 mtorr Application：適合用於 MOSFETs 的閘極製程。 SiH4 ? Si + 2H2 National Nano Device Laboratories Create for the future 國家奈米元件實驗室垂直爐管標準製程