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国内硅烷法制备电子级区熔用多晶硅的进展分析 　　半导体材料中用量最大和用途最广的是半导体硅，半导体级多晶硅广泛应用于微电子、晶体管及集成电路、半导体器件等半导体工业中。电子级多晶硅是半导体器件、集成电路、大功率电力电子器件的基础性材料。电子级多晶硅作为半导体行业、信息行业发展的基础，必将成为全球第三次工业革命的焦点。据统计，2013年全球电子级多晶硅产量将近2万t，中国国内的需求量约为3 000 t . 　　在单晶硅的拉制工艺上，目前中国直拉工艺比较成熟，但是大部分原料仍然依赖进口。由于区熔单晶硅生长技术门槛高，全球区熔单晶硅制造商比直拉单晶硅制造商数量少很多，全球有5家公司垄断了全部产量的95.5%以上。中国生产区熔单晶硅的多晶硅原料主要依赖进口，瓦克是国内主要的进口厂商。中国的电子级多晶硅生产技术、产品品质函待提高。因此，研究制备高纯、超高纯的多晶硅，即电子级、区熔级多晶硅的技术对中国半导体产业的发展极为重要。 　　1电子级多晶硅生产工艺概述 　　当前主流的电子级多晶硅生产技术主要有三氯氢硅法、硅烷法等。 　　流化床反应器法所生产的多晶硅为颗粒状，纯度也不及三氯氢硅法和硅烷法生产的纯度，主要应用于太阳能产业，也可作为拉制大直径单晶硅时的原料，连续加料，但不能直接提供区熔使用。 　　三氯氢硅法生产电子级多晶硅具有一定的优势，其沉积速率较快，可达8-10m/min,安全性相对较好，多晶硅纯度可以满足直拉和区熔的要求叫。但是中国国内三氯氢硅法生产的大部分多晶硅产品为太阳能级，即使电子级产品，无论是质量上还是产量上都与国外的先进技术有一定差距，面区熔级的多晶硅产品更为少见。 　　硅烷法是利用硅烷热分解的方法制备多晶硅，反应温度低，原料气体硅烷易提纯，杂质含量可以得到严格控制。硅烷法所生产的多晶棒结晶致密，结晶粒径也远小于三氯氢硅工艺，被用于区熔法生产硅单晶可一次成晶，是生产区熔单晶硅的最佳原料。另外，硅烷及热分解产物都没有腐蚀性，从面避免了对设备的腐蚀以及硅受腐蚀面被沾污的现象，具有广阔的发展前景。 　　2硅烷的制备 　　制备硅烷的主要方法有3种。1)硅化镁法，使MgrSi与NH C1在液氨中反应生成硅烷;2)歧化法，以冶金硅为原料，通过生成中间产物SiHCI面制取硅烷;3)还原法，以SiF与NaA1H为原料制备硅烷。 　　2. 1歧化法 　　氯硅烷经过氢化和歧化反应制得硅烷，最初由美国UCC公司研发，因此又称UCC法。其生产过程包括氯硅烷的制备和氢化反应、三氯氢硅的歧化反应、二氯二氢硅的歧化反应、中间产品和成品的分离及提纯。 　　3硅烷热分解 　　硅烷的热稳定性较差，180℃以上即开始分解成无定型硅，在400℃左右分解产生晶体硅，600℃以上其分解速度迅速增加。分解温度越高，形成的晶体越致密。从化学反应动力学角度看，硅烷的热分解过程实际上是分2步完成的。 　　在硅烷分解反应过程中容易在气相成核。在反应器内所生成的硅粉尘，粒径大小在200 -500 nm的范围内，粉尘过大会严重干扰硅棒生长，甚至妨碍致密结晶体的形成。硅粉尘接触了反应器内壁，金属杂质的含量较高。在生长过程中，如果粉尘从内壁脱落，吸附在硅棒表面，继续生长则容易产生夹层，同时也会引起金属含量的增加。所以，必须抑制气相分解，以减少粉尘量。文献提到降低硅棒表面温度、降低硅烷浓度的方法。面在实际生产过程中，一般是通过增加载流气体氢气的量来降低硅烷浓度，起到抑制气相成核、增加表面反应的作用。 　　另外，在实际生产过程中，沉积速率主要由反应温度和硅烷流量控制，在保证硅棒生长均匀、致密的情况下，调整硅烷流量可以使生长速率维持在5-8pm/min，与文献中所提到的3-8 m/min的速率基本一致。将反应温度提高至900℃以上，生长速率可以达到12 pm/min甚至更高。但是过快沉积容易造成硅棒表面温度不均匀，沉积速度也不同，形成表面凹凸不平的状况，硅烷容易在凸起的位置进行分解，小凸起逐渐生长，硅棒表面会越加粗糙，颗粒明显，呈“玉米粒”状。这种类型的硅棒表面在化学清洗时不易处理干净，杂质和水分残留在硅棒表面，不能用于直拉，更不能用于区熔成晶。因此，对反应温度的控制尤其重要。 　　4硅烷法制备区熔级多晶硅的优势分析 　　区熔对多晶原材料的要求十分严格，除了具备电子级高纯度之外，多晶硅的表面应当光滑无破损、无裂纹、无氧化夹层。另外，多晶硅的椭圆度、平直度也应满足要求，以减少在区熔过程中出现的“硅刺”。此外，多晶硅内部的残余应力应尽量减少和消除，以降低区熔过程中预热或晶体生长时发生破碎的危险。因此，在制备多晶硅的过程中，不仅要把原料气体中的各种杂质降到最低，