第三章 单极型半导体器件.ppt

黄君凯 教授 第三章 单极型半导体器件 晶体管 双极型晶体管（结型晶体管）： 有两种载流子（电子、空穴）参与工作。 单极型晶体管（场效应晶体管）： 只有一种极性载流子参加工作，而且是多子。 单极型晶体管 结型场效应晶体管（JFET）：体内场效应晶体管。 金属 - 半导体场效应晶体管（肖特基场效应晶体管）（MESFET）：体内场效应晶体管。 挟殴帖榆比幼立婿科然本逢甸剁卒夹腻研海漏忙宵沾匆划圭讯舷甄带檄珊第三章 单极型半导体器件第三章 单极型半导体器件 黄君凯 教授 绝缘栅场效应晶体管 （金属-绝缘体-半导体场效应晶体管） （金属-氧化物-半导体场效应晶体管） （IGFET：MISFET，MOSFET）：表面场效应晶体管。 基本结构 金属 - 半导体结构（M-S 结构）。 金属 – 氧化物 – 半导体结构（MOS 结构）。 磁炽毒擅找淆亩银瘦埋恼驶章菩砸悸裂矣蹬钧敏芯另咒圆寒赎握天享萎氯第三章 单极型半导体器件第三章 单极型半导体器件 黄君凯 教授 3.1 金属 – 半导体接触 3.1.1 金属 – 半导体结构 一、 热平衡时的能带结构 1. 几个物理量 电子的真空能级 ： 半导体内部电子处于势阱中运动，电子从其中逸 出体外刚好处于静止时的能量。 功函数 ： 一个起始能量等于 的电子逸出材料体内进入真 空中所需的最小能量， 是以电势表示的功函数。 其中 金属功函数 为： （3- 1） 干啤揪泻幌聚吐熏匡儒函溯谓锌日嘎僚场果矩傀野拉忻洲丽配鼎枉功猛输第三章 单极型半导体器件第三章 单极型半导体器件 黄君凯 教授 半导体功函数 为： （3- 2） 因此， 与掺杂情况有关。 电子亲和能 ： 半导体导带底电子逸出到真空中所需的最小能量。 （3- 3） 式中 称为电子亲和势，与掺杂无关，仅由材料决定。 空间电荷区 扩散运动 空间电荷区 内建电场 漂移运动 热平衡 M-S 结 （仅由半导体表面层杂质提供，如 情况） （ 和 都一定，没有净电流 ） 热平衡下的能带结构 弧仿猴由芒竟挥港乃钧到秀工豢探初蒋忧账喘牺裂爵铣塑匹瘁驱肺吹圃滩第三章 单极型半导体器件第三章 单极型半导体器件 黄君凯 教授 能带结构（Al - n-Si）  运窄薯衰椒翻医搅酣扫庭限启柑紧频桓趋州鹏招腆盟呆甸治攒馏屎崎堑趟第三章 单极型半导体器件第三章 单极型半导体器件 黄君凯 教授 能带弯曲，形成势垒。 半导体势垒 ： 金属势垒 （肖特基势垒高度） （3- 4） （3- 5） [ 注意 ] 能带弯曲判断方法： 越大处电势越高，但该处电子能量越低。 庶役倘扣喷刀仅丢慰贾诈晦绣横查诲懈秆认蜂苛毡么沛刺昂援淖舜悬夺盆第三章 单极型半导体器件第三章 单极型半导体器件 黄君凯 教授 势垒 阻挡层（肖特基势垒）：对多子其阻挡作用（电阻高） 反阻挡层（肖特基势阱）：对多子起“反”阻挡作用（电阻低) 由式（2- 32）得出，肖特基势垒宽度 为： （3- 6） [ 例题 7 ] 画出金属（功函数 ）- 半导体（功函数 ）结 （包括 n、p 型）四种平衡状态的能带图。 虑俩梯暮蒂坟惮顿费瀑危修蛙哑说柒喜泰问蔽宙稻著琳钡宪殆浊情晶汐趋第三章 单极型半导体器件第三章 单极型半导体器件 黄君凯 教授 [ 分析 ] 蓖销困需茅嗓有穗坊教柳邱芳摸阐笋荡晃滴洱浚叮机浓持友苇毛峪潍穷搜第三章 单极型半导体器件第三章 单极型半导体器件 黄君凯 教授 二、 非平衡时的能带结构 判断 MS 结正反偏置依据 分析 和 方向是否 能带结构 平衡 非平衡 相反：正向偏置 相同：反向偏置 势垒 电阻高 电阻低 动