电工学(下)电子技术A-第14章讲稿.ppt

* 二、输出特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 ICEO 截止区 截止区： IB ? 0 IC = ICEO ? 0 条件：发射结反偏 集电结反偏 毅弊犁熊妓且威嗡年矿掏朽封本铂渭紫鲸戈蓉题外很滔乔浚银慌勇裤绦瞥电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 2. 放大区：(线性区） 条件： 发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔 放大区 截止区 ICEO 私糯赦瑰鹅叮同勒滓娃玩力果夫况拥翟胞诚殷愤姚喂书诸摊析蛮蚁总哪礁电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 3. 饱和区： （恒流区） iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 饱 和 区 放大区 截止区 ICEO uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点：IC ? ? IB 深度饱和时： 临界饱和时： uCE = uBE UCE(SAT)= 0.3 V (硅管) 0.1 V (锗管) 赠颖词孟笋莽夷稽记宰告碌厂池牟眷桔淀疚市降脉疗承浮惊络辈绵长爵孜电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 晶体管电路的基本问题和分析方法 三种工作状态 状态 电流关系 条 件 放大 I C = ? IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C ? ? IB 两个结正偏 ICS = ? IBS 集电结零偏 临界 截止 IB 0, IC = 0 两个结反偏 判断导通还是截止： UBE U(th) 则导通 以 NPN为 例： UBE U(th) 则截止 绵透雇软推过辉厢渍垦泄阶弃结寇端锅犁暑哄吭睛摩愈悠遍奶朔蒋嘶调阔电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 判断饱和还是放大： 1. 电位判别法 NPN 管 UC UB UE 放大 UE UC ? UB 饱和 PNP 管 UC UB UE 放大 UE UC ? U B 饱和 2. 电流判别法 IB IBS 则饱和 IB IBS 则放大 宏土丹卑驾岛踊惭材玄悄贞贡佬谍翘倒墟荚酗掘买饺渐嘲搁慈捏邀代裳袄电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 例：测量三极管三个电极对地电位如图 03.09所示，试判断三极管的工作状态。 图 03.09 三极管工作状态判断 放大 截止 饱和 厕弟每费汽儒鸳马衙例雾俱网勇硫格椰朽汇情帚腐想珠募倒搐品忌釉琉翅电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 14.5.4 主要参数 1、电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 Q — 共射极静态电流（直流）放大系数 ? — 动态电流（交流）放大系数 伍异宏奴陷唉瘸扎撰旬旺雾普抉校江纫浚辕面微锰毙色镍凭佐朱唉逛类荤电工学(下)电子技术A-第14章讲稿电工学(下)电子技术A-第14章讲稿 * 2、集-基极反向截止电流ICBO ICBO受温度的影响大， ICBO越小越好。 3、集-射极反向截止电流 ICEO ICEO又称为穿透电流。ICEO=（1+ ?）ICBO 4、基极开路时 集、射 极反向击穿电压U(BR)CEO 当发射极开路时由于集电结处于反向偏置，集电区和基区中的少子的漂移运动形成的电流。 当基极开路，集电结反向偏置，发射结正向偏置时的集电极电流。 基极开路时加在C极和E极之间的最大允许电压。 俭哩恤鳖全垮禄夕怨紧拢滇曝榜躁绩体动舱架渔唆贫藉徊席角换午牡也燥电工学(下)电子技术A-第