第14章半导体二极管和三极管.pptVIP

模拟电路 李莉，单周一，每周四 meggie_li@163.com 公用信箱名：xinhaoxitong09@163.com 密码：tianshi 模拟电路 前期课程：高等数学，电路 后续课程：数字电路，高频电子 课程要求 作业： 每周四交； 16开纸，学号、姓名 不抄袭 考勤 缺勤三次，不准参加考试 考试 平时成绩（作业+考勤）+考试 课程内容 教材：电工学（下册）14—19章 基本元器件：二极管、晶体管 基本放大电路：放大信号 集成运算放大器：集成电路，放大信号 反馈 直流稳压电源 电力电子技术：强电领域，仅讲基本元器件 14.1 半导体的导电特性 14.1.1 本征半导体 14.1.2 N型半导体和P型半导体 例14.3.1 例题 例14.5.1 正向 + - 反向 + - IZ UZ 2 稳压管的伏安特性： 3 稳压管稳压原理： 稳压管工作于反向击穿区。稳压管击穿时，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。利用这一特性，稳压管在电路中能起稳压作用。 稳压管的反向特性曲线比较陡。 反向击穿 是可逆的。 U/V I/mA 0 IZ IZM UZ 4 主要参数 （2）电压温度系数 （1）稳定电压 UZ 稳压管在正常工作下管子两端的电压。 说明稳压管受温度变化影响的系数 （3）动态电阻 （4）稳定电流 （5）最大允许耗散功率 rZ 稳压管端电压的变化量与相应的电流变化量的比值 IZ PZM 管子不致发生热击穿的最大功率损耗。 PZM=UZIZM 例题 + _ U U0 UZ R 稳压管的稳压作用 当UUZ时,电路不通；当UUZ大于时,稳压管击穿 此时 选R，使IZIZM 14.5 晶体管 14.5.1 基本结构 结构 平面型 合金型 NPN PNP 硅管主要是 锗管都是 14.5.1 基本结构 N N P B E C C E B 发射结 集电结 B N N P 发射区 基区 集电区 E C 发射极 基极 集电极 P P N B E C C E B 发射结 集电结 B P P N 发射区 基区 集电区 E C 发射极 基极 集电极 Base Emitter Collector 14.5.2 电流分配和放大原理 μA mA mA IB IC IE RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 共发射极接法 晶体管电流测量数据 IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 由此实验及测量结果可得出如下结论： （1） IE=IC+IB 符合基尔霍夫电流定律。 （2） IE和IC比IB 大的多。 （3）当IB=0（将基极开路）时， IE=ICEO， ICEO0.001mA EC μA mA mA IB IC IE RB EB B C E 用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论。 外部条件：发射结加正向电压；集电结加反向电压。 RB EC + + _ _ EB E B C N N P 发射结正偏 扩散强 E区多子（自由电子）到B区 B区多子（空穴）到E区 穿过发射结的电流主要是电子流 形成发射极电流IE IE是由扩散运动形成的 1 发射区向基区扩散电子，形成发射极电流IE。 RB EC + + _ _ EB E B C N N P 2 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB E区电子到基区B后，有两种运动 扩散 复合 同时基区中的电子被EB拉走,相当于不断补充基区中的复合掉的空穴 形成稳定的基极电流IB RB EC + + _ _ EB E B C N N P 3 集电极收集电子，形成集电极电流IC 集电结反偏 阻碍C区中的多子（自由电子）扩散，同时收集E区扩散过来的电子 有助于少子的漂移运动，有反向饱和电流ICBO 形成集电极电流IC RB EC + + _ _ EB E B C N N P 14.5.3 特性曲线 用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系、反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。 以共发射极接法时的输入特性和输出特性曲线为例。 μA mA V IB IC RB EC + + _ _ EB B E 3DG6 V + _ + _ UBE