第1章半导体器件1.pptVIP

二极管的结构 平面型 (3) 平面型二极管— 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管— PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 面接触型 1.3.2 半导体二极管的伏安特性曲线 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域 当V＞Vth时，开始出现正向 电流，并按指数规律增长。 (1) 正向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 (2) 反向特性 反向特性 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 1.3.3 半导体二极管的参数 (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压VBR——— 和最大反向工作电压VRM 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压VBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 半导体二极管的参数 (3) 反向电流IR : 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 (4) 正向压降VF：在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 (5) 动态电阻rd：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?VF /?IF 二极管基本应用 1.利用伏安特性的非线性构成（限幅电路） 例1：如图所示： D1 D2 vi vo vi 理想模型 I D O 0.7V 理想二极管 恒压降模型 0.7V 二极管基本应用 1.利用伏安特性的非线性构成（限幅电路） 例1：如图所示： D1 D2 vi vo vo vi 二极管基本应用 |vi |0.7V时，D1、D2截止，所以vo=vi | vi |0.7V时， D1、D2中有一个导通，所以vo =0.7V 例2：如图所示： vo vi D2 D1 vo vi 1.3.4 稳压二极管 符号 应用电路 伏安特性 1.2.4.1 稳压二极管参数 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。 (1) 稳定电压VZ ——在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所 对应的反向工作电压。 (2) 动态电阻rZ ——rZ =?VZ /?IZ rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡 应用电路 稳压二极管参数 (3) 最大耗散功率 PZM ——反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= VZ IZ，由 PZM和VZ可以决定IZmax。 (4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流IZmin —— 应用电路 稳压管应用 如果输入电压Vi （ Vi VZ），稳压管处于稳压状态。 Vi增大，Vo增大，IZ增大，（只要IZ IZmax ，稳压管仍能正常工作），VR增大，Vo减小 R’ 1.2.4.2 稳压管应用 稳压管正常工作的两个条件：a. 必须工作在反向击穿状态（利用其正向特性除外）；b. 流过管子的电流必须介于稳定电流和最大电流之间。 电阻R的作用 1、限流作用。保护稳压管； 2、稳压作用。调节稳压管的工作电流，实现稳压。 典型应用 * 半导体基本知识（杂质半导体和PN结） 半导体二极管（特性及其应用） 双极性三极管（特性及其电流放大作用） 场效应管（特性及其电压控制作用） 第一章 常用半导体器件 半导体导电特性 PN结及其特性 半导体二极管特性及其应用 稳压二极管 三极管 场效应管 §1.1 半导体导电特性 1.1.1 概念 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 导体：容易导电的物体。如：铁、铜等 2. 绝缘体：几乎不导电的物体。 如：橡胶等 3.