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第三章 场效应管 场效应管（简称FET）是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的，所以又称之为电压控制型器件。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故也叫单极型半导体三极管。因它具有很高的输入电阻，能满足高内阻信号源对放大电路的要求，所以是较理想的前置输入级器件。它还具有热稳定性好、功耗低、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点，因而得到了广泛的应用。 根据结构不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）或称MOS型场效应管两大类。根据场效应管制造工艺和材料的不同，又可分为N型沟道场效应管和P型沟道场效应管。 3. 1结型场效应管 1.结构和符号 1）结构 结型场效应管（JFET）结构示意图如图3.1（a）所示。 2. 工作原理 现以N沟道结型场效应管为例讨论外加电场是如何来控制场效应管的电流的。 如图3.3所示，场效应管工作时它的两个PN结始终要加反向电压。对于N沟道，各极间的外加电压变为UGS≤0，漏源之间加正向电压，即UDS＞0。 当G、S两极间电压UGS改变时，沟道两侧耗尽层的宽度也随着改变，由于沟道宽度的变化，导致沟道电阻值的改变，从而实现了利用电压UGS控制电流ID的目的。 1）UGS对导电沟道的影响 当UGS＝０时，场效应管两侧的PN结均处于零偏置，形成两个耗尽层,如图 3.4 （ａ）所示。此时耗尽层最薄，导电沟道最宽，沟道电阻最小。 当|UGS|值增大时，栅源之间反偏电压增大，PN结的耗尽层增宽，如图3.4（b）所示。导致导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ? 当|UGS|值增大到使两侧耗尽层相遇时，导电沟道全部夹断，如图3.4 （c）所示。沟道电阻趋于无穷大。对应的栅源电压UGS称为场效应管的夹断电压， 用UGS(off)来表示。 2）UDS对导电沟道的影响 设栅源电压UGS=0,当UDS=0时，ID=0，沟道均匀，如图3.4（a）所示。 当UDS增加时，漏极电流ID从零开始增加，ID流过导电沟道时，沿着沟道产生电压降，使沟道各点电位不再相等，沟道不再均匀。靠近源极端的耗尽层最窄，沟道最宽;靠近漏极端的电位最高，且与栅极电位差最大，因而耗尽层最宽，沟道最窄。由图1.35可知，UDS的主要作用是形成漏极电流ID。 3）UDS和UGS对沟道电阻和漏极电流的影响 设在漏源间加有电压UDS，当UGS变化时，沟道中的电流ID将随沟道电阻的变化而变化。 当UGS=0时，沟道电阻最小，电流ID最大。当|UGS|值增大时，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，电流ID减小，直至沟道被耗尽层夹断，ID=0。 当0UGSUGS(off)时，沟道电流ID在零和最大值之间变化。 改变栅源电压UGS的大小，能引起管内耗尽层宽度的变化，从而控制了漏极电流ID的大小。 场效应管和普通三极管一样，可以看作是受控的电流源，但它是一种电压控制的电流源。 3. 结型场效应管的特性曲线 1）转移特性曲线 转移特性曲线是指在一定漏源电压UDS作用下，栅极电压UGS对漏极电流ID的控制关系曲线，即 当UGS=0时，导电沟道最宽、沟道电阻最小。所以当UDS为某一定值时，漏极电流ID最大，称为饱和漏极电流,用IDSS表示。 当|UGS|值逐渐增大时，PN结上的反向电压也逐渐增大，耗尽层不断加宽，沟道电阻逐渐增大，漏极电流ID逐渐减小。 当UGS=UGS(off)时，沟道全部夹断，ID=0。 2）输出特性曲线（或漏极特性曲线） 输出特性曲线是指在一定栅极电压UGS作用下，ID与UDS之间的关系曲线，即 （1）可变电阻区。当UGS不变，UDS由零逐渐增加且较小时，ID随UDS的增加而线性上升，场效应管导电沟道畅通。漏源之间可视为一个线性电阻RDS，这个电阻在UDS较小时，主要由UGS决定，所以此时沟道电阻值近似不变。而对于不同的栅源电压UGS