主流光刻技术.docVIP

光刻是指将集成电路图形从掩膜版上转移到硅片上的工艺过程光刻技术是集成电路的关键技术之一 在整个产品制造中是重要的经济影响因子，光刻成本占据了整个制造成本的35％ 光刻也是决定集成电路按照摩尔定律发展的一个重要原因，如果没有光刻技术的进步，集成电路就不可能从微米进入深亚微米再进入纳米时代。 光刻系统的组成：光刻机（曝光工具） 　　　　掩膜版 　　　　光刻胶 主要指标： 　　　　分辨率W（resolution）- 光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸 　　　　焦深(DOF-Depth Of Focus) - 投影光学系统可清晰成象的尺度范围 　　　　关键尺寸（CD-Critical Dimension）控制 　　　　对准和套刻精度(Alignment and Overlay) 　　　　产率(Throughout) 　　　　价格 其中，W是决定光刻系统最重要的指标，也是决定芯片最小特征尺寸的原因。 其由瑞历定律决定：　R = k1r/NA ，　其中　r 是光刻波的波长。 提高光刻分辨率的途径: 　　　　减小波长r, 其中，　光刻加工极限值：r/2 , 即半波长的分辨率 　　　　增加数值孔径 　　　　优化系统设计（分辨率增强技术） 　　　　减小k1 主流光刻技术: 248nm DUV技术（KrF准分子激光） - 0.10um 特征尺寸 193nm DUV技术（ArF准分子激光） - 90nm 特征尺寸 新一代的替代光刻技术: Immersion 193nm技术 157nm F2 EUV光刻 紫外线光刻 电子束投影光刻 X射线光刻 离子束光刻 纳米印制光刻 光学透镜 　　　　透射式透镜（248nm、193nm) 　　　　反射式透镜（157nm） 掩膜版 　　　　由透光的衬底材料（石英玻璃）和不透光金属吸收层材料（主要是金属Cr）组成。 　　　　通常要在表面淀积一层抗深紫外光损伤的增光型保护涂层 分辨率增强技术(RET): 　　　　　Step-Scan 技术 　　　　　偏轴照明(OAI) 　　　　　邻近效应校正(OPC) 　　　　　移相掩膜(PSM) 　　　　　具有化学增强放大功能的快速感光光刻胶 　　　　　光刻胶修剪(Resist Trimming) 　　　　　抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶 北京首矽致芯科技有限公司 电子反向工程 芯片解密专业机构