揭开硫酸铜电镀配方的神秘面纱.doc

桃園市第四十六屆科學展覽會作品說明書 類 別：化學類 科　　別：理化科組　　別：國中組 作品名稱：揭開硫酸銅電鍍配方的神秘面紗 作 者：中興國中 吳依蓓、韓宏翎、洪霈如 指導老師：中興國中 楊秉鈞 關 鍵 詞：硫酸銅電鍍、哈氏槽、電流效率 編 號： 中華民國九十五年六月目錄 目錄頁 …………………………………………………………………………… I 摘要 …………………………………………………………………………… 1 壹 研究動機………………………………………………………………… 1 貳 研究目的………………………………………………………………… 1 参 研究設備及器材………………………………………………………… 2 一 研究設備及器材………………………………………………………… 2 二 設備圖示………………………………………………………………… 2 肆 研究方法………………………………………………………………… 3 一 研究架構………………………………………………………………… 3 二 電鍍流程………………………………………………………………… 3 三 實驗區分………………………………………………………………… 4 四 研究工具………………………………………………………………… 4 五 名詞釋義………………………………………………………………… 6 伍 研究結果………………………………………………………………… 7 一 硫酸銅含量與電流密度的影響………………………………………… 7 二 鍍浴溫度的影響………………………………………………………… 9 三 鍍浴攪拌的影響………………………………………………………… 10 四 硫酸含量的影響………………………………………………………… 12 五 氯離子含量的影響……………………………………………………… 15 陸 討論……………………………………………………………………… 19 柒 結論……………………………………………………………………… 21 捌 參考資料………………………………………………………………… 22 玖 附錄……………………………………………………………………… 23 一 實驗數據………………………………………………………………… 23 摘要 本研究主題是作者於自然與生活科技課程的分組專題報告過程中，與師生討論所引發的。由課本之硫酸銅電鍍延伸至實際電鍍產業使用之電鍍配方探討氏槽（Hull cell）  項目 區分 配方 硫酸銅硫酸 ml/ 氯離子 ppm 劑 溫度℃ 攪拌電流 時間 （分） 電流密度 教科書 0.5M － － － － － 0.1A 10～15 － 產業 80g/L 100 50 有 20 有 － － 1～5 工業 200g/L 40 50 有 25 有 － － 3～10 * 產業所使用的硫酸銅，為調製多CuSO4．5H20g/l表示。 * 電流密度單位＝安培/平方公寸＝ASD＝A/dm2 貳、研究目的 本研究的研究目的如下： 一、模擬哈氏槽之製作 二、探討硫酸銅的影響？ 三、探討硫酸的影響？ 四、探討氯離子的影響？ 五、探討以下實驗條件的影響？ （一）電流密度 （二）鍍浴溫度 （三）鍍浴攪拌 六、探討印刷電路板及工業之硫酸銅電鍍，其低銅高酸及高銅低酸配方之設計用意何在？ 參、研究設備及器材 一、研究設備及器材 直流電源供應器硫酸銅CuSO4．5H2OHull cell模擬槽槽98％磷銅拋光黃銅片極固定架放大鏡電子天平精密度至0.01g上皿天平基本理化器材電源供應器Hull cell模擬槽 硫酸銅鍍銅，用純銅作正極時會產生銅粉。若用含磷銅當正極（含磷量0.02％～0.05％、研究方法一、研究架構 表（二） 二、電鍍流程： 表（三） 三、實驗區分：應變變因為電流效率、鍍膜外觀 （一）研究一： 1.第A、B、C組實驗：鍍浴中只含有硫酸銅 1.第D、E組實驗：選取高銅低銅鍍浴各一，分別加入硫酸 2.操縱變因：電流密度、硫酸含量。 （三）研究三：  1.第F、G、J、K組實驗：F、G選取高銅低酸與低銅高酸含量鍍浴各一，分別加入氯離子J、K組 四、研究工具氏槽氏槽（Hull cell）廣泛使用的電鍍試驗試傾斜成37°，與箱子長邊相同，極垂直的沿著長邊放，如此，極到極距離的變化將沿者極有規律的變化