苏道军，王加贤——布拉格反射波导双光束边发射半导体激光器.doc

布拉格反射波导双光束边发射半导体激光器 苏道军 1) 2）计伟2)崔碧峰2）3)邱伟彬1)佟存柱4)张松2)王晓玲2)凌小涵2)王加贤1) 1)（华侨大学,信息科学与工程学院，厦门 361021） 2)（北京工业大学,中国北京 100124） 3)（牡丹电子集团有限公司,中国北京 100191） 4)（中国科学院长春光学精密机械与物理研究所μm条宽的边发射激光器,在垂直方向±33.4°附近实现了两个稳定的7.2°对称的近圆形光斑,对器件进行镀膜后进行测试得到连续工作条件和脉冲工作条件下分别实现1.4W以及2.26W的输出,器件的特征温度可达到91K. 关键词：半导体激光器,布拉格反射波导,双光斑激光器 PACS：73.21.Fg, 73.61.Ey, 42.55.-f, 85.60.Bt 中图分类号: TN248.4 文献标识码: A Twin Beam Edge-emitting laser with Bragg reflection waveguide Su Daojun1）2) Ji Wei2) Cui Bifeng2) 3) Qiu Weibin1) Tong Cunzhu4) Zhang Song2) Wang Xiaoling2) Ling Xiaohan2) Wang Jiaxian1) 1)(Huaqiao University,Xiamen 361021,China) 2) (Beijing University of Technology, Beijing 100124, China) 3) (Beijing Peony Electronic Group Co,Beijing 100191,China) 4) (Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics Chinese Academy of Sciences, 130000,Changchun of China) Abstract A multiple quantum wells edge-emitting semiconductor laser which can generate twin ultra-narrow, stable and symmetrical beams in the far field vertical direction was designed and fabricated. The Bragg reflection waveguide structure was designed on both side of the active layer. Laser with 100 um stripe width exhibited two stable near-circular beams symmetrically located at about ?33.4° with full-width at half maximum of 7.2° in the vertical direction. The laser showed an output power of 1.4W under continuous wave operation and 2.26W in pulsed mode after coating. The characteristic temperature of the device is about 91K. Keywords: semiconductor lasers, Bragg reflection waveguide, twin-beam lasers PACS：73.21.Fg, 73.61.Ey, 42.55.-f, 85.60.Bt 1 引言 近年来，对于布拉格反射波导结构的半导体激光器研究越来越广，由于其具有两个稳定对称光斑输出的特点，使得这种激光器广泛应用于各种各样的器件中,包括高速打印机[1][2]、高灵敏度的激光吸收光谱仪[3][4]、先进的激光测速仪[5][6]以及沟深监控系统[7]。这种半导体激光器具有高的增益系数[8]、较强的模式识别[9][10]以及较大的模式面积等优点。 通常有两种方法产生双光斑输出:一种是利用光纤阵列或光束耦合器耦合两个单个激光器发出的光束[11];另一种方法是利用光栅、极化棱镜、非退化的光学寄生振荡器来将单个光束分散成两个光束[12]。但是，些方法由于到复杂的光学对准和体积的限制,应用较少。除此之外，双脊激光二极管也可以替代双光斑激光光源在横向上产生两个输出光斑,但是这种激光器在工作时双脊之间相互影响产生的热效应使得激光器的输出性能严重不稳定[