第4篇第5章—计算机控制—分子比控制试题.doc

第五章 电解质分子比控制（AlF3添加控制） 随着低分子比工艺技术的采用，电解质成份（主要是AlF3的添加）的计算机控制愈来愈受到重视。现代电解槽的上部结构中安装有独立的AlF3料斗，由计算机控制AlF3作点式添加。AlF3添加控制与槽电阻控制的有机结合构成电解槽热平衡和电解质组成控制的基础。 当前国内外能将分子比与热平衡的控制综合起来考虑并加以控制的方法可归纳为下列几种类型： i) 基于槽温、分子比实测值的查表法； ii) 基于分子比、槽温等参数间的回归方程的控制法；iii)基于初晶温度（过热度）实测值的控制法（九区控制法）；iV）基于槽况综合分析的控制法。 5.1 基于槽温、分子比实测值的查表控制法 该法首先针对特定的槽型与工艺建立一个AlF3基准添加速率的数学模型，据此可根据氧化铝原料组成和槽龄确定不同槽龄的电解槽的AlF3基准添加速率。然后，在实际的控制过程中，再根据各台电解槽分子比、电解质温度等参数的实际变化情况，对AlF3添加速率在基准速率的基础上作调整[1-5]。 （1）AlF3基准添加速率的数学模型 ① 槽龄与AlF3消耗速率的关系 新槽启动后，由于阴极内衬吸收钠的速率很大，以致在运行的头一周时间内，需要大量的碳酸钠。钠的吸收速率随槽龄增大而迅速减小，当槽龄达大约800～1,000天时，钠的吸收几乎停止，因此，尽管槽型，下料方式及使用的Al2O3原料不同，AlF3