《半导体光电子学课件》下集4.5 可见光LD.pptVIP

§4.5 可见光LD 一.红光LD 目的：条形码扫描器，激光扫描，Laser印刷，高密度光盘存储，水下通信。 ① x↑Al含量↓ 直接带隙→间接带隙 不参加振荡的载流子比例↑，内 ↓， ↑ ② Al含量↑ Al分凝系数大， 结晶质量↓ 热应力↑， ③ 要求有一定电导率，包层须掺杂，工艺难。 2. GaInP / GaAs or GaInP / GaAsP 工作波长 600～730nm 缺点：生长缺陷大，寿命短。 问题： ①电流从有源区向包层“溢出” ② InGaAsP / GaAs 结构的价带不连续值大 ③在Al含量增大之时，给结晶外延层带来困难，使解理面破坏阈值↓ ④热阻率大，对器件性能影响大， ↑ 缩短波长的方法： 在加大有源层 时，有源层和包层之间的带隙差便小，载流子溢出，因而： ①高掺杂P型包层能抑止载流子溢出； ②多量子阱结构对高能电子有很高反射率→改善高功率下温度特性，减小载流子溢出； ③采用张应变量子阱有源层； ④增加Al含量，使 ↑ 二.兰绿光LD / LED 1. SiC － LED 间接带隙 在1450℃下用CVD技术可以生长出质量优良的薄膜生长速度慢 ，几μm/h 只能室内显示。目前液相外延(LPE)有可能替代CVD ，它可以将生长速率提高到每小时150 μm/h。 AlN =6.2ev 用缓冲层 GaN =3.4ev InGaN 400~580nm,p~6mw,η＝10％ FWHM＝2nm ①缺乏与GaN材料在晶格常数及热膨胀系数匹配的衬底 ②缺乏获得高P型掺杂的方法 ③外延生长会形成高的缺陷密度 3. Ⅱ－Ⅳ族LD ZnSe、ZnS 直接带隙材料 480～510nm ZnSe与GaAs晶格失配仅为0.27，易在GaAs衬底上生长高质量ZnSe薄模，以实现光电子集成。 * * 1. 波长 780nm 670nm为理论极限 3. InGaAlP / GaAs 理论激射波长 580～650nm；在Ⅲ－Ⅴ族材料中能提供最大直接带隙，并与GaAs衬底晶格匹配。 增益导引型激光器 脊型双异质结 异质结势垒锁定激光器 条形耦合波导结构 2. Ⅲ族氮化物 InN,AlN,GaN 直接带隙材料 InN: *