《半导体光电子学课件》下集5.6 LD的瞬态特性.pptVIP

《半导体光电子学课件》下集5.6 LD的瞬态特性.ppt

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§5.6 LD的瞬态特性 LD的瞬态现象 电光延迟 Why 如何减少电光 延迟时间td ? 张驰振荡 张驰振荡 的频率 张驰振荡 的角频率 LD的调制带宽 3dB调制带宽 越大,LD的调制特性越好 当张驰振荡频率越高, 越大。表明LD能够直接调制的速率越大。 研发高速直接调制LD 如何提高调制带宽 减少寄生电容和电感 提高张驰振荡频率 途径——提高微分增益dg/dN 采用量子阱(线、点) 调制畸变 P147 图5.6-6 自脉冲(自脉动) 注入直流下的自脉动现象 脉冲调制下的自脉动 危害和应用 自脉动的振荡频率与外加调制速率无关,是LD的一种自持振荡。它作为一种高频干扰严重威胁着LD的高速调制。 自脉动现象往往与P-I曲线的扭转有关。 增益波导LD易出现自脉动 LD内部缺陷杂质多,易出现自脉动。 LD中不均匀,易出现自脉动。 LD的动态展宽 啁啾现象 chirp LD在调制过程中,载流子浓度出现起伏--折射率受到调制(相位也受到调制)--光脉冲的前沿与后沿相对激射的中心波长发生变化--光脉冲线宽变大 啁啾线宽 啁啾展宽 两个速率方程 两个速率方程 总结 光电延迟 张驰振荡 调制畸变 自脉冲 动态多纵模和动态谱线展宽 * * 调制含义 反常, 有自脉动 正常, 无自脉动 反常, 无自脉动 正常,无自脉动 饱和吸收体模型? 载流子烧洞和自聚焦效应 Why □注入电流增加载流子 □自发发射消耗载流子 □受激发射的每一个 纵模消耗载流子 ◎自发发射增加 光子密度 ◎受激发射增加 光子密度 作了那些假设? □注入电流增加载流子 □自发发射消耗载流子 □受激发射的每一个 纵模消耗载流子 ◎自发发射增加光子密度 ◎受激发射增加光子密度 ◎光子有一定的寿命,光子 死亡使得光子密度降低

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