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第五章 半导体激光器的性能 §5.1 LD的阈值特性 一.LD结构对阈值的影响 同质结 → 异质结（单） → 双异质结 → 应变多量子阱(R-MQW)： ↓ ↓ 条形LD：与侧向波导结构有关 （增益波导） （折射率波导）、 （掩埋条形LD） 二.LD几何尺寸对 的影响 1. 有源层厚度d 光场限制因子 ①d↓ 函数载流子浓度↑ ↓（当d↓↓ P↓ ↑ ② SHLD中同质结的弱波导作用 ③ 越大 ↓（在相同d时） ④ ↑ 最小对立的d↓ ⑤ LD有源层工艺厚度 2. 有源层宽度 与阈值 关系 3. 腔长L与 的关系 三.温度 ②内量子效率 T↑ Auger(CHHS)过程复合系数↑↑ 复合损失↑ ↓ ③内部载流子和光子的损耗 T↑ 越过势垒载流子泄漏↑ InGaAsP / InP 300K时 漏电流占1/3总 I 长波长InGaAsP / InP的 短波长 GaAlAs / GaAs ①Auger非辐射复合严重 ② 小，载流子热泄漏严重 四.波长与 的关系 λ0.8μ λ↓ 间接带隙能积累的载流子增加 λ0.8μ λ↑ Auger非辐射复合速率增加，载流子泄漏损耗↑ * * 性能 ①静态性能：阈值 ，电光量子效率 ，线宽和光谱、寿命 ②动态性能：调制带宽，调制畸变，自脉冲等 （直流） （交流） 阈值作用： ①衡量LD内是受激发射还是自发发射 ②的有无是区分LD与LED标志 ③比较LD之间质量优劣 载流子的倒向扩散 由于光丝的扩散 具有折射率波导的条形LD， 由于对载流子、光子进行了限制， 宽度可以做到很窄 例外：InGaAsP / InP 长波长LD L↓、 ↑ 因为短腔中俄歇非辐射符合大 ：室温 ：特征温度，描述LD工作温度稳定工作最重要的量。 ↑ 越稳定。 不随T变化 T影响 的因素 ①增益系数g∝ 当T↑、 ↓、g↓ 需要更多的载流子注入维持
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