第二章-缺陷物理与性能课件.pptVIP

螺位错的运动方式——滑移 螺型位错的运动 滑移过程中，原子滑移方向与外加应力方向相同，而与位错线运动方向垂直 刃位错的运动 螺位错的运动 位错滑移对比： 刃位错滑移过程中，原子的滑移方向、位错线的运动方向和外加应力方向三者是平行的； 螺位错滑移过程中，原子滑移方向与外加应力方向相同，而与位错线运动方向垂直 位错的运动方式——攀移 刃型位错可以在滑移面内运动，也可以垂直于滑移面运动，这后一种运动称为位错的“攀移”。由于螺型位错没有附加的半原子平面，因此不能直接攀移。 刃位错攀移示意图 （a）正攀移（半原子面缩短） (b)未攀移 （c）负攀移（半原子面伸长） 位错的弹性性质 ——位错的应力场与应变能 理论基础：连续弹性介质模型 假设：1.完全服从虎克定律，即不存在塑性变形； 　　　2. 各向同性；3. 连续介质，不存在结构间隙。 位错的应力场: 刃位错上面的原子处于压应力状态，为压应力场，刃位错下面的原子处于张应力状态，为张应力场。 围绕一个螺位错的晶体圆柱体区域也有应力场存在。 位错与物理性能 位错与 内耗 位错与 晶体生长 扩散过程 金属强度 电学、 光学性质 范性变形 位错 晶体受到的应力超过弹性限度后，将产生永久形变，即范性形变。 范性形变——原子面的滑移 比如在立方晶格中具有最重要意义的三种晶面为（100）、（110）、（111）；具有最重要意义的三种晶向为[100]、[110]、[111] 范性形变可以通过位错的运动来实现 位错与物理性能——位错的滑移与晶体的范性形变 位错与物理性能——位错对金属强度的影响 材料在塑性变形时，位错密度大大增加，从而使材料出现加工硬化。当外加应力超过屈服强度时，位错开始滑移。如果位错在滑移面上遇上障碍物，就会被障碍物钉住而难以继续滑移。 热弹性高分子材料在塑性变形时的硬化现象，其原因不是加工硬化，而是长链分子发生了重新排列甚至晶化。 因为位错的周围有应力场，从而杂质原子会聚集到位错的近邻，使晶体的性质发生改变,位错对杂质原子有聚集作用。 在半导体材料中，由于杂质向位错周围的聚集，就可能形成复杂的电荷中心，从而影响半导体的电学、光学以及其它性质。 位错与物理性能——位错对材料的电学、光学性质的影响 由于位错和杂质原子的相互作用，位错的存在影响着杂质在晶格中的扩散过程。 ——位错与晶体生长 晶体生长的前提——晶核 螺型位错台阶具有凝聚核的作用——产生晶核 位错与物理性能——位错对扩散过程的影响 内耗的定义：振动着的固体,即使与外界完全隔离,其机械振动也会逐渐衰减下来,这种使机械能量耗散变为热能的现象,叫做内耗。 即固体在振动过程中由于内部的原因而引起的能量消耗,在英文文献中通用“internal friction”表示. 内耗是一个对结构高度灵敏的量,对内耗的研究不但可以推知固体中的结构和结构缺陷的情况,也可以得到固体结构变化及原子扩散的知识. 位错与物理性能——位错与固体内耗 要点： 位错内耗强烈地依赖于冷加工的程度；若内耗对冷加工敏感，就可以肯定这种内耗与位错有关。 位错与物理性能——位错与固体内耗 在外加交变应力下位错弦的弓出、脱钉、缩回及再钉扎过程示意图 面缺陷 面缺陷是发生在晶格二维平面上的缺陷，其特征是在一个方向上的尺寸很小，而另两个方向上的尺寸很大，也可称二维缺陷。 晶体的面缺陷包括两类：晶体的外表面和晶体中的内界面，其中内界面又包括了晶界、亚晶界、孪晶界，相界、堆垛层错等。这些界面通常只有几个原子层厚，而界面面积远远大于其厚度，因此称为面缺陷。面缺陷对材料的力学、物理、化学性能都有影响。 表面 界面：晶界、相界 面缺陷 钢中的晶粒（其中黑线为晶界） 面缺陷——晶界 （a）晶界 （b）亚晶界 晶界与亚晶界 面缺陷——小角晶界 小角倾侧晶界（由一列刃型位错构成）；扭转晶界 当相邻晶粒的位相差大于10°-15°时，晶粒间的界面称为大角晶界。一般的大角晶界约为几个原子间距的薄层，层中的原子排列较疏松杂乱，结构比较复杂。但是并非所有大角晶界都具有松散紊乱的原子组态。当相邻两个晶粒具有某些特定的位向关系时，晶界上可以有较多的原子与两个晶粒的点阵结点都吻合的相当好。 面缺陷——大角晶界 面缺陷——大角晶界（孪晶界形成与分类） 面缺陷——大角晶界（堆垛层错） （a）面心立方堆垛次序 （b）密集六方堆垛次序 刚球密排面的堆垛 面缺陷——相界 第二章 缺陷物理与性能 缺陷的含义：晶体缺陷就是指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域。 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列。 实际晶体：存在着各种各样的结构的不完整性。 晶体 非晶体 晶