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器件应力降额总规范
艾默生网络能源有限公司
修订信息表
版本 修订人 修订时间 修订内容 V2.0 刘海涛、刘善中、王树明、姚天宝、凌太华、朱勇、杨爱泉、朱吉新、胡全年、胡楠、黎晓东、艾项德、王文建、陈宪涛、陈亚秋、罗眉、易序馥 V2.1 刘海涛、刘善中、王树明、姚天宝、朱勇、杨爱泉、朱吉新、胡全年、胡楠、王文建、陈宪涛、陈亚秋、罗眉、易序馥 2005-10-30 1、 新增“产品额定工作点”定义;
2、 对7类器件在产品额定工作点下的关键应力降额系数进行了规定,这些器件包括:MOSFET、IGBT、晶闸管、整流桥、功率二极管、三极管、铝电解电容器;
3、 除上述器件外,也对部分其它器件,如IC器件、钽电解、保险管等的I、II区降额系数根据实际使用情况作了适当的修订;
4、在保险管规范中,新增了“半导体保护用熔断器”降额规定;
5、 对应降额规范的修订,上述器件的“器件工作应力与降额查检表”作了相应的调整。 目录
前言 3
1目的 3
2 适用范围 4
3 关键词 4
4 引用/参考标准或资料 4
5 规范内容 4
5.0 产品保修期等级、产品I、II工作区、产品额定工作点定义 5
5.1功率MOSFET降额规范 7
5.2 IGBT降额规范 13
5.3 晶闸管降额规范 18
5.4 整流桥降额规范 23
5.5 功率二极管降额规范 27
5.6 信号二极管降额规范 32
5.7 稳压二极管降额规范 35
5.8 TVS器件降额规范 38
5.9 发光二极管、数码管降额规范 43
5.10 三极管降额规范 45
5.11 光耦降额规范 50
5.12 脉宽调制器降额规范 53
5.13 数字集成电路降额规范 57
5.14 运放比较器降额规范 59
5.15 电压调整器类降额规范 61
5.16 二次电源模块(BMP)降额规范 64
5.17 液晶显示模块降额规范 67
5.18 晶体谐振器降额规范 70
5.19 晶体振荡器降额规范 73
5.20 非固体铝电解电容降额规范 76
5.21固体钽电解电容器降额规范 87
5.22 薄膜电容器降额规范 91
5.23 陶瓷电容器降额规范 94
5.24 固定金膜、厚膜、网络、线绕电阻器降额规范 96
5.25 电位器降额规范 100
5.26 陶瓷NTC热敏电阻器降额规范 103
5.27 高分子PTC热敏电阻器降额规范 106
5.28 电磁元件降额规范 108
5.29 霍尔传感器降额规范 111
5.30 温度继电器降额规范 113
5.31 电磁继电器降额规范 115
5.32 接触器降额规范 121
5.33 断路器降额规范 124
5.34 隔离器、刀开关和熔断器组合电器降额规范 126
5.35 电源小开关降额规范 128
5.36 信号小开关降额规范 130
5.37保险管降额规范 132
5.38 电连接器降额规范 135
5.39 风扇降额规范 137
5.40 蜂鸣器降额规范 139
5.41 压敏电阻降额规范 141
6 附录 145
6.1低压电器有关降额要求说明 145
6.2 偏离降额的处理流程 147
6.3 器件工作应力与降额查检表(V2.1)填写使用说明 149
前言
本规范由艾默生网络能源有限公司研发部发布实施,适用于本公司的产品设计开发及相关活动。本规范为《器件应力降额总规范》V2.1版,该版本自发布之日起,其前一版本(V2.0版)作废;
《器件应力降额总规范》V2.1版主要对V2.0版的以下内容进行了修改:
在V2.0版规范I、II工作区定义的基础上,增加了产品“额定工作点”的定义,使规范更全面地覆盖产品应用实际情况;
对7类器件在产品额定工作点下的关键应力降额系数进行了规定,这些器件包括:MOSFET、IGBT、晶闸管、整流桥、功率二极管、三极管、铝电解电容器;
上述器件和部分其它器件(如钽电解、保险管等)的I、II区降额系数根据实际使用情况作了适当的修订,兼顾可靠性与成本,使之更趋合理;
在保险管规范中,增加了“半导体保护用熔断器”降额规定;
对应降额规范的修订,上述器件的“器件工作应力与降额查检表”作了相应的调整。
本规范由本公司各产品设计开发部门遵照执行;
本规范拟制部门:中试物料品质试验部;
本规范拟制人:刘海涛、刘善中、王树明、姚天
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