10G XFP电路部分解析1讲解.doc

10G XFP电路部分解析 注：10G EML XFP原理图见上PDF文档 发射部分 1）电源分配系统 MAX1683为开关电容倍压器，将5V电压转换为10V电压；为AD8029AKS提供电源电压 慢上电系统 FDN302P为P沟道增强型MOS管； 热插拔电路的最低要求是提供浪涌电流限制，防止在大的容性负载加电时整个系统损坏。普通热插拔电路由电容、齐纳管和FET构成。电源电压从S级输入，D级输出。当上电时，GS间的电容充电，此时MOS管关断；随着电容的充电，VGS增大，当其超过门限时，MOS缓慢导通，C48值的大小和MOS管的特性决定MOS管导通的速度。DS间的二极管起保护作用，防止电压过高。 NFM18P为DC EMI静噪滤波器（1uF），卓越的高频带静噪特性，能承受2A的电流，适合IC电源线的噪声抑制。 模拟与数字电源之间通过一电感相连。两边个连0.1UF到地去耦。VCC3V3A连接到AD7021-36脚 由于MCU A/D输入口有最大输入电压限制，所以在此处对XFP工作电压通过电阻分压后再送入MCU A/D进行检测，这样通过分压后就不会烧坏MCU。此处MCU可通过分压后的电压值检测出系统供电是否正常。 2）TOSA驱动部分 a）偏置及光发射功率检测 单DFB与EML激光器光功率检测 单DFB与EML激光器光功率检测图 从上图可以看出，传统单DFB与EML激光器光功率检测的不同。对于单DFB激光器，通常采用一个背光PIN管来检测光发射功率。而EML使用一种更为直接的方法来检测DFB前向光功率的大小。EAM调制器吸收DFB的输出光的大小将取决于加在调制器上的偏置电压的大小。被吸收的光将产生光电流，就像PIN管一样。调制器上的光电流能够非常精确的检测EML的前向输出功率。APC的设置点将设置在需要光输出功率时测的调制器电流。 分解见下图 AD8029和MBT3906DW DATASHEET： AD8029为低功耗、高速、轨到轨运算放大器；电压V-BIAS（V-BIAS为MCU D/A产生）通过运放放大之后，电流从MMBT2222AT射极流出，部分通过R5和R7到地，比例的转换成调制器偏制电压V-MOD；V-BIAS越大，则V-MOD越大，调制器上的光电流越大；从而通过MCU对V-BIAS的控制完成对EA调制器的控制。调制器上的光电流和经过R5、R7到地电流之和等于Q1射极电流，对Q1来说，。MBT3906DW为两个PNP管，构成一个电流镜，；电流经R9转换成电压，该电压的值即表示TOSA光发射功率的大小。 b）BIAS-T Bias-T用于将直流或者低频信号叠加到射频信号上，且使彼此互不影响。它实质上是一个同向双工器，能够从高频信号中分离出低频信号，传向不同的终端。在交叉点处，低频结构对所有在其截止频率之上的频率表现出一个高阻抗;高频结构则相反，对在其截止频率之下的所有频率表现出高阻抗。一般可以通过由集总元件或分立元件制成的互补式滤波器来实现这种结构。对于数字应用而言，通常采用集总元件来实现，如果采用分立元件，则需要很高的带宽。 OC- 192的Bias-T的带宽范围在15—20G。所以通常用串联电感来覆盖这个范围的带宽。另外，传统感性的Bias使用电阻和各个电感并联来减小Q值。该种方法制作的Bias-T的结构、损耗均转大。 该设计中采用磁珠来替代电感作为并联元件。磁珠是一种由嵌入在铁氧体里的感性材料组成的。其涡流损耗同铁氧体材料的电阻率成反比，涡流损耗随信号频率的平方成正比。所以磁珠对直流损耗非常小，而能消除传输线中绝大部分RF噪声。磁珠有更高的带宽，因为它的等效电路是由L和R组成，而非L和C。所以没有串联谐振点，封装紧凑，直流损耗小。 使用磁珠的Bias-T的设计方法和传统的绕线相似。高频率磁珠在高速线部分，低频率磁珠在供应电源部分。这里可选用BLM18HG102SN1D（高频）和BLM18RK102SN1D（低频）。 磁珠没有足够的带宽来覆盖3—4G的频率范围，事实上这部分就变成了一个低阻抗终端。考虑到这一点，两个磁珠之间必须用一个变换器，它采用1/4波长传输线结构，将第二个磁珠的低输入阻抗变换为高阻抗。特征阻抗为Zo,长度为L、负载为ZL传输线的输入阻抗为: 如果ZL很小，则可以近似为： 当BL约为90度时，则可以得到很高的输入阻抗。 影响Bias-T性能的因素有：插入损耗 截止频率 温度 串行电阻 寄生电阻 RF到DC隔离 此处采用单端驱动激光器，对不用的一端采用一个50欧姆电阻端接到地处理。 c）激光器使能电路 激光器使能电路 NC7SZ04为一非门；MMBF2202PT1为P沟道增强型MOS管 NC7SZ04为一非门；