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纳米表面二维周期半圆凹槽增强硅薄膜太阳能电池光吸收
物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 16 (2013) 167801
纳米表面二维周期半圆凹槽增强硅薄膜
太阳能电池光吸收
? ?
刘震 王玉晓 宋瑛林 张学如
( 哈尔滨工业大学物理系, 哈尔滨 150001 )
( 2013年4月7 日收到; 2013年5月5 日收到修改稿)
利用时域有限差分方法, 研究硅薄膜上下表面周期半圆凹槽结构对于太阳光吸收的增强效应. 研究发现这种结
构可以实现太阳光宽波段的光吸收增强, 通过调节SiO2 表面减反层厚度和凹槽半径长度来实现薄膜太阳能电池最
大的光吸收, 并实现了波长在300—1000 nm 范围的太阳光吸收总能量比没有这种结构下硅薄膜光吸收提高了约
117%.
关键词: 硅薄膜, 半圆凹槽, 吸收增强
PACS: 78.67.?n, 88.40.jj DOI: 10.7498/aps.62.167801
提出金属等离子体提高太阳能电池光伏转换的三
1 引言 7
种方式. Pala 等 通过在Si 基底上SiO2 减反层上
表面设计Ag 一维亚波长光栅结构, 使太阳能电池
传统的硅基太阳能电池面临的两大突出问题
8
短路电流提高了43%. Spinelli 等 仿真计算了通
是提高太阳能电池的光伏转换效率和降低太阳能
过在Si 基底上的Si N 减反层上设计一层周期Ag
电池的成本, 开发研制硅薄膜太阳能电池以减少 3 4
纳米颗粒, 使得在300—1100 nm 波段的光吸收相
硅片原材料的消耗来降低硅太阳能电池的成本成
为热点领域. 传统的硅基太阳能电池的硅层厚度一 对于无纳米颗粒的情况下提高了50%. Zanotto 等9
般在 180—300 m, 而一般的硅薄膜太阳能电池的 通过研究计算Si 表面一维亚波长光栅结构减反层
厚度大约几微米, 很大程度地降低了硅原料带来的 结构可以增大薄膜太阳能电池短路电流. 诸多前沿
成本. 并且硅薄膜的厚度要小于载流子的扩散长 的研究工作都从理论和实验上寻找最优的纳米微
度, 这一点更有利于光激发的电子空穴对在复合之 结构来提高太阳能电池的转换转换效率10?19 .
前的采集, 有利于光伏转换. 但是降低硅活化层的 本文从亚波长光栅减反和导膜共振原理出发,
厚度直接导致了光在硅层中的有效传播长度的减
提出了一种二维表面半圆凹槽光栅结构. 理论分析
小, 从而大大降低了硅活化层的光吸收和光伏转变
表明: 这种二维表面凹槽周期结构可有效降低太阳
效率.
光表面的反射系数, 特别是通过调节半圆形凹槽的
目前提高薄膜太阳能电池的光电转换一方面
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