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100V高压PMOS器件研制.pdf
2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海
IOOV高压PMOS器件研制
宋李梅李桦杜寰夏洋韩郑生
(中国科学院微电子研究所北京100029)
摘 要：、本文研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压PMOS器件。首先利用
m
TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化，开发出与0．8|lN阱标准CMOS
Synopsys
工艺兼容的高压工艺流程，并试制成功。实验结果表明，该器件关态击穿电压为一138V，
栅压,-lOOV时驱动能力达17mA(宽长Lk=50)，可以在100V电压下安全工作。
关键词：高压集成电路；LDMOS：厚栅氧；
TheDevel oflOOVHi Volt
opment gh age
PMOSdevices
LihuaDuhuan Han
Limei Xiayang
Song Zhengsheng
Instituteof of
Microelectronics，ChineseAcademy
Abstract：AIOOV PMOSFET(HVPMOS)iSinthiS
HighVoltage designed paper，and
alsohas fabricatedbasedonthestandard0．8umCMOS
been technology
successfully
InstituteofMicroelectronics，Chinese ofScience．The
developedby Academy
the current
breakdownHVPMOSwas一138V，and reachesaboutHmAfor
voltage output
a when biaswassetat—IOOV．Excellent
devicegate performances
width／length=50
were resultsdemonstratethattheHVPMOSdevicescanwork
realized．Experiment
at100V ion
safely operatvoltage．
oxide
Words：HVIC：LDMOS：Thickgate
Key
1． 引言
对于包含高压信号处理的高压小电流的低功率系统，即通常所说的高压集成电路，近
几年被广泛的应用于平板显示驱动、通讯电路以及汽车电子等领域“1。在这些应用中，低
压CMOS控制逻辑电路执行大部分的信号处理，而其输出通过包含高压器件的高压驱动电
路被提升到了一个高电压水平。高压集成电路作为一个完整的微电子系统，高压器件应与
处理输入信号的低压器件互相兼容并集成在同一芯片上。
高压集成电路的驱动部分一般为电平转换电路，它的功能为把低压控制
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