100面偏向《111》A+15°GaAs衬底上生长的ZnO薄膜XRD特性.pdfVIP

(100)面偏向111A15。GaAs衬底上生长的 ZnO薄膜XRD特性 郑凯 马骁宇 韦欣 张广泽 林涛 ‘中国科学侥丰导体所光电子器件国家工程研究中心 北京t00093) 150 体对应衍射角34．3796)取向的Zn0薄膜材料。测量生长出的材料衍射角为34．232。． 关键词：MOCV{)；Zn0；六方晶系：(002)面衍射角：XRD 1．弓l言 ’ ZnO是一种具有压电和光电特性的直接宽带隙半导体材料．它属于六方晶系和P6-：rt空间群． 是纤锌矿晶体结构．ZnO的晶格常数分别为a=3．2496A，c=5．2065A，c／a=1．602。在其晶臆中，每个 是排列．ZnO品体结构决定了该晶体具有c轴择优取向生长的特性。Z．nO是直接宽带隙半导体材料。 室温下在布里渊区r点的禁带宽度为3．37eV，激子束缚能高达60meV．ZnO有多种优良的物理性能， 是一种多功能材料，在声表面波、透明电极、光电器件、蓝光器件等方面都有较大的应用潜力，尤 其是在高质量Z,nO薄膜中室温紫外激射的实现，使这一领域更受科研人员的重视．基于ZnO如此多 方面的应用，人们设计出了许多不同的生长方法．主要有溅射、脉冲激光沉积、分子束外延、金属 有机化合物气相沉积(MOC、m)替．目前。人们仅能够生长出高取向的ZnO薄膜材料，而要生长 出质量较高的ZnO单晶还是有很大的困难的．我们使用MOCVD方法实现ZnO材料的生长：探索 不同生长反应源、生长条件等对ZnO薄膜材料生长结果的影响情况，这将有助于人们进一步优化生 长条件，提高生长质量。 2．实验 为了进行ZnO材料生长。我们专门自制了一台用于生长ZnO，五1S薄膜用的小型MOCVD设备． ZnO的反应生长源DEZn、HzO有其特殊的缺点：即在常温下，=者相遇就会发生反应，生成白色 耪末状的ZnO微粒；这些微粒极易堵塞管道，并严重影响ZnO薄膜的生长质量．考虑以上情况，我 们在设备的设计与仪器的操作方面，都作了详细地分析和思考： fI)锌源DEZn和氧源H20分别进入反应室，在距衬底片很近的地方混合反应； (2)实验操作时一定要注意避免反应源的反灌回流． 从图2来看，如果管路密闭不够，出现外漏；或操作不慎。出现反应室中气体反灌，都会使得 塞这是很多国内ZnO生长科研组经常遇到的头疼的问题．我们进行了如下改进：设定B，R压强值 大于^压强值，这样就较好的避免反应室气体在反应时反灌；并且B、焉压强值大于大气压．这样 即使管路有微漏，也只会使管路中的气体向大气中泄漏。 64l 156的N型chAs 氧源的制作经济时效快捷。操作起来简单方便。生长衬底是(100)面偏向IlIA 圈1生长设备及气路简图 图2气路气压分布图 3．结果分析 在现有情况下，我们分别摸索了反应压强，温度对ZnO薄膜材料生长性质的影响．为了使zlo 薄膜的XRD测量图谱结果具有比较性，我们从制作的七个样矗(M01．M07)中选取了相同大小的 X射线衍射仪。 样片(2cmxl．5cm)进行测量．测量仪器是Pmlip的x’PERT 3．1不同压强下的ZaO薄膜材料的XRD性质 一 一 鲁嚣羔 ～ zThera(。l 圈3不同压强下的ZnO薄膜的x射线衍射图谱 M01，M02、M03、M04是在反应压强变化而其他生长条件相同的情况下制作的四个样品，图3 s而反应室压强分 34．52#moFmin。其锌氧用量摩尔比是l=2．90，生长时间为6h．反应温度为160C 别取了700Pa、1000Pa，1100Pa、1400Pa． 向的ZnO薄膜。随着反应压强的增大