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2005’全国微波毫米波会议论文集 3-39GHz单片低噪声放大器的研制 王民娟 曾志刘如青丁奎章 (河北半导体研究所050051) 摘要： 我们设计制作了3-39GHz单片低噪声行波式放大器，在频带内的噪声系数小于 5．2dB，小信号增益大于6dB，输入驻波比小于2．5，6GHz一39GHz输出驻波比小于2．5， 是目前国内报道频带最宽的低噪声放大器单片电路。 关键词：单片低噪声放大器，行波式放大器 一、简介 随着技术的进步，电子装备向小型化、智能化发展，微波毫米波电路向单片集成化 方向发展。GaAs 低、损耗小、频率高、功率大、体积小、重量轻等特点，已经广泛用于先进的电子装备 中，对于改善系统性能和扩展系统功能方面有着巨大的潜力，而单片低噪声放大器 (LNA)是这些系统中接收部分的关键电路。 二、材料选择 近年来发展的高In组份的GaAs基MHEMT材料，具有InP基HEMT器件的优异性能， 可用于高频、低噪声和宽带电路，并且克服了InP基材料固有的问题：成本高、机械强 度差、易碎、片子尺寸小(一般仅4寸)、背面通孔困难，与标准的GaAs工艺不兼容， 而GaAs基MHEMT材料的缓冲层吸引晶格失配引起的应力，阻止垂直方向位错的延伸， 因此保留了器件有源层的优良性能，并允许生长各种In组分，调整器件性能。材料结 构见图1。 n——InGaAsSi i——InAlAs P1anar Si doping i—InAlAs i—InGaAs i—InAlAs i—A1GaAsbuffer SIi—GaAs S．I．GaAsSubstrate 图l材料结构示意图 图2 “T”形栅扫描电镜照片 1130 2005’全国微波毫米波会议论文集 二、器件设计与性能 噪声系数(Fn)给出微波晶体管放大器的噪声性能的量化表述，一个放大器的噪声 系数表述为输入端信噪比与输出端信噪比的比值，放大器的噪声系数可由公式(1)表述。 (1)式表明对于单片低噪声放大器的噪声不仅与器件本身的最小噪声F。。。。有关，而且还与 器件的噪声电阻有关，小的噪声电阻Rn能减弱因信号源阻抗失配对放大器噪声所产生的 不利影响，由于宽带放大器的失配大，减小噪声电阻Rn尤为重要，因此设计用于宽带低 噪声放大器的器件时，应同时考虑FⅢ。和Rn。 z F。：F。。。。+——坠IYs—Ys。pt Re(Ys) F。…=10bg[1+2ⅡKfC。。 Td、 1 Rn姚+(面丽’石疆 (3) gm有利于降低放大器的噪声。减小cgs的直接办法是缩短栅长，为了抵消缩短栅长带来 Rg增大对F。m的不利影响，最有效的方法是用“T”形栅。栅偏源配置可以降低Rs。提高 材料的迁移率，适当提高载流子浓度，可提高gm。为了节省电路的面积，器件采用梳状 结构，源电极用空气桥跨接，为了减小寄生的栅源电容Cgs，源跨接直接从栅条上跨越， u 而不从栅柄过渡区跨越。我们采用电子束制作0．15m“T”型栅，制作的器件I慨≈ dB (直流偏置Vds：2V，Ids=lOmA)，最小噪声系数为1．0dB，噪声电阻为6Q。 三、电路设计与制作 1、行波式放大器 考虑该电路频带宽，我们采用行波式放大器，又称为分布式放大器，它的基本原理 是把微波器件的输入、输出电容和输入、输出电阻分别吸收到输入、输出传输线