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ARC工艺技术研究 温万良陆锋周林 (无锡微电子科研中心214035) 摘要本文介绍了在半导体制造中应用于金属互联工艺的ARC(抗反射层或防反射层)技 术。通过对抗反射层基本原理的说明，结合工艺实验，来详细、深刻地理解抗反射 技术。最后给出了可以用于0．5urn工艺生产的ARC结构及用于衡量ARC性能的参 数。 关键字AR光刻抗反射半导体工艺 1引言 随着半导体制造技术的进一步发展，芯片的集成度不断上升，CD(特征尺寸)也不断的 缩小。现在采用130nm节点的制造技术已经进行量产。’ 特征尺寸的减小对制造技术不断地提出新的挑战。由于衬底反射、台阶高度等因素的存 在，光刻小尺寸线条、孔的准确转移成为亚微米技术中的一个关键技术。采用ARC (Anti．reflective coatings)技术，是高密度、高可靠性的多层金属互连系统重要组成部分。有 la 的0．5 m制程中，在多晶、接触孔等层次中就采用了抗反射层技术。 2ARC的技术原理 由薄膜光学可以知道，随着光刻胶厚度d的不断化，对入射光的反射率是一条整体不断 减小的周期性正弦曲线。曲线摆动情况可以用S(摆动因子)来衡量： R e’。d S=4、l|Rt，p bmom 式中： Rt。。：空气-胶界面反射率 Rbo。。。：胶一衬底界面反射率 Q：胶的吸收系数 d：光刻胶的厚度 另外一个重要的衡量参数是振幅A A=AMAx-AMIN 利用这个公式可以方便地得知某一波段内的曲线波动情况。ARC的基本特性就是抗反射 作用，即加强对入射光的吸收(吸收系数变大)，使S公式中‰怕m项变小，由此S变小，波 动曲线趋于平缓。 减小S不能减小反射锯齿和驻波效应，+所以抗反射层采用BARC结构占多数。 ARC技术最主要是用于金属互联层的制备。其优点归纳起来主要有以下几方面： 图2减缓CD Sw／ng-curve BARC结构示意图 由于台阶的存在，涂胶后在台阶上下胶的厚度会有所不同，而这种胶厚度的波动会导致 台阶上下线条尺寸的变化。引入ARC后的CD Swing-curve曲线B，其变化趋势相对曲线A要 平缓许多，这样线条跨台阶能力提高了。 (1)减小驻波效应： 一般在曝光后采用PEB烘可以使驻波效应减轻。当进入亚微米CD变小，对剖面提出了 更高的要求。ARC可以使来自衬底的反射光大大减少，干涉波的数量与程度都有所下降，从 而提高了剖面形貌。 (2)减小剖面notching： 图2中，来自邻近衬底线条的反射光，在没有ARC层时，其强度比较大，它会对光刻版 遮盖区进行曝光，由此在线条的侧壁形成锯齿，使剖面变差，导致线条宽度降级。来自衬底 表面晶粒的反射光，也会对入射光散射，导致线条剖面变差。 当然ARC技术也存在一些缺点，如由此曝光时间延长产量下降；涂布式的ARC厚度随 着衬底台阶变化而变化，ARC层反射率发生变化；使腐蚀时间加长、吃胶量加大，同时影响 金属剖面等。 3实验设计及数据处理 (1)实验思路： 分析走势。实验中采用S6812(普通胶)与ARC搭配来和$6818(染色胶)胶做对比实验， 进而观察ARC的作用。 以上为基础，改变不同的ARC各层厚度及比例，然后固定一个合适的光刻胶厚度。做出 Swing．curve曲线，找出S最小时的ARC厚度及比例。 (2)不同衬底(A1和ARC)下，条宽波动情况对比： 结构得到的波动曲线则幅度比较大。振幅A(CD)计算： 0．05岫 $6812一ARC：A(CD)2 $6818-Al：A∞)=0．1Sum CD容许的波动～般为条宽的±10％。 从上面的两个计算结果可知：采用ARC后工艺容宽变大，线条跨台阶能力提高。 ARC衬底时，E0／CD数据图(图3左图)