B2O3掺杂对改性ZnO薄膜致密性及压敏性的影响.pdf

仝金雨等：B2()a掺杂对改性ZnO薄膜致密性及压敏性的影响 B20。掺杂对改性ZnO薄膜致密性及压敏性的影响’ 仝金雨1，黄焱球2，刘梅冬1 (1．华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074； 2．中国地质大学材料科学与化学工程学院，湖北武汉430074) 摘 要： 利用新型sol-gel法制备了岛Q掺杂的ZnO所有组份混合后在一定温度下搅拌数小时。使溶液逐 薄膜。用SEM表征了岛Q掺杂前后znO薄膜的表面渐缩聚，牯度不断增大，形成稳定的溶胶。其中， 形貌，用XRD详细分析了不同B2q含量掺杂下ZnO薄 膜的微观结构与薄膜低压压敏特性的关系。结果表明， 当岛03添加量为0．5％(摩尔分数)时，薄膜的致密性和尔分数分别为0．25％，0．5％，0．75％，1．0％。将上述 稳定性明显提高，ZnO薄膜的压敏电压低于5v，非线性溶胶分别经过烘干、预烧和煅烧等阶段制备出掺杂的 系数高迭18，漏电流为0．04pA／mm2。 ZnO纳米粉体。ZnO纳米粉体的详细制备过程已有 关键词：低压压敏电阻；晶界效应；致密性能 文献报道口]。 中图分类号：TN304．93 文献标识码：A 所得薄膜采用RIGAKUD／max-3B型x射线衍 文章编号：100I-9731(2006)增刊一021I-02射仪(铜靶)进行x射线衍射分析，并用Sirion2000扫 描电镜对样品的表面形貌进行了表征。用晶体管特征 l 引 言 测试仪对薄膜的J_V特性进行了测试。用MY一4C型 ZnO薄膜因其具有优良的非线性电流电压特性而 压敏电阻综合参数测试仪测定了压敏电压和漏电流。 被广泛应用于电子器件。近年来，涌现出了许多制备 3结果与讨论 ZnO薄膜的方法口“]，其中sol—gel法由于制备工艺简 单。掺杂组分分布均匀和znO晶粒分布均匀等优点而 3．1 B20。掺杂前后纳米ZnO薄膜的SEM 获得了广泛的应用。用新型sol—gel法n1不仅可以制 图1分别为未添加B。O。和添加0．5％(摩尔分 备厚度较大的ZnO薄膜，而且其压敏性能有了显著提 高。但是在新型sol—gel法制备ZnO薄膜的过程中，由 于复合先驱体中含有纳米Zn0粉体，因此在制膜时容 易出现微孔。虽然在薄膜的退火过程中，Bi。O。的液 znO陶瓷薄膜的致密性得到了极大的提高。添加 相烧结过程在一定程度上消除了这种显微孔隙，但并 0．5％(15尔分数)B20。后，薄膜的表面平整度提高，显 不彻底，在所制的薄膜中总是存在少量的微孔，这些微 微孔隙大大减少。说明递Os对薄膜微孔的消除具有 孔将成为压敏电阻失效03的隐患。因此，消除微孔，提 很好的效果。 高薄膜的致密性是改善ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻 稳定性的重要前提。消除薄膜微孔的途径较多，包括 增加Bi。O。的添加量、添加玻璃质以及添加其它低熔 03的添加量以及添 点物质等。研究表明“]，增加Bi 加玻璃质尽管可以提高薄膜的致密性，但容易造成薄 膜电性能的降低。本实验选择添加低熔点的岛O。来 进行研究，并详细分析了不同B20s掺杂下ZnO薄膜 的微观结构与薄膜低压压敏特性的关系。 图1掺B。O。前后znO陶瓷薄膜的扫描电镜 1 SEM ofZnOfilmswithout 2实验过程 Fig photographs B203 andZnOfilms withB0、 doped 3．2 将Zn(