C波段大功率GaAs+MMIC.pdfVIP

2005‘全国微波毫米波会议论文集 MMIC C波段大功率GaAs 王翠卿 河北半导体研究所05005l 摘要：本文介绍了C波段大功率6aAsMMIC的电路设计、结构以及单片的制作和性能测 试分析等，经测试该单片性能在5．o～5．6@tz输出功率大于36dBm，增益大于26dB，功 率附加效率大于30％。芯片尺寸：4．omm×2．3ramX0．1mm 关键词：砷化镓功率微波单片集成电路 1．引言 由于GaAs微波单片集成电路(埘Ic)具有良好的技术性能和可靠性以及体积小、 重量轻，已被厂‘泛应用于卫星通信、全球个人移动通信、空中交通管理、汽车防撞雷达、 公路交通控制及仪表等，可见各个领域对MMIC的需求日益增长，因而我们应加强这方 面的开发研究。 西方各发达国家都极为重视GaAsMMIC的研究与开发。对MMIC领域开展广泛而深 入的研究，二十世纪九十年代就研制出了c波段8w的功率单片。 2．单片电路设计 2．1．材料结构选择 目前主要采用双6掺杂PHEMT、HEMT和I唧材料来研制MMIC。为了提高沟道区浓度 和迁移率，从而获得较高的电流密度，该单片电路选用分子束外延(1忸E)生长的3英寸 GaAs HFET材料，此方法在生长过程中可以精确控制层厚、组份、掺杂浓度，而且此方法 生长的材料均匀性好、表面形貌好，为了降低欧姆接触电阻和串联电阻，帽层的浓度设计 为3×10”／em3，有源层浓度设计为2x10”／cd。材料结构设计的考虑原则是兼顾器件击穿、 电流与跨导的特性，全面考虑功率容量与频率特性要求，以及跨导随栅压的变化和漏电导 随漏电压的变化。该单片的材料结构如图1所示， —可可五F—1丽万弓丽1一 —丽五百广—面蕊———～ InGaAs 80A Buffer 图1 HFET材料结构简图 2005’全国微波毫米波会议论文集 2．2，有源器件的选择 对于功率h髓le电路的关键组成部分的有源器件，为获得商功率，一是要求有商的 源漏击穿电压，以提高电路工作电压，_二是要有足够大的栅宽，以满足功率要求。增大 栅宽有两个途径：加大单栅指和增多单栅指的并联。 根据功率单片电路的特点要求，本单片电路有源器件采用空气桥背面通孔接地的结 构。该单片中器件的栅结构设计成双I_L』】槽的“T”型结构，目的是减小栅电阻，提高击 穿电压。 2．3．单片电路的设计 mIc设计时首先要进行拓扑网络的选择，为满足大功率和高增益的要求，该单片电 路采用共源放大电路，其基本工作原理是把有源器件输八、输出阻抗匹配到50o，与系 统匹配使电路输出性能达到最佳，这样电路的输出功率就可做的较大．因此该单片电路 拓扑结构采用三级高增益匹配和功率分配与大功率合成的拓扑形式。其电路拓扑如图2 所示。 苫vgst 王Vgs2 图2电路拓扑图 然后利用微波设计软件进行单片电路的优化设计，在单片电路优化设计过程中，首先提 取有源器件的直流参数和小信号S参数，利用IC-CAP建模系统建立其大信号模型，然 后以有源器件为中心对拓扑网络的输入、输出及中间匹配部分采用ADS软件进行电路优 化设计。当设计的单片电路性能符合要求时要将其原理图转化为电路版图形式才能进行 工艺制作，该单片电路在工艺制作时选取衬底厚度为100啪，并采用Ti／Pt／Au传输线、 NiCr薄膜电阻、Si。N。平面介质电客、介质钝化。单片电路的版图布局对其设计结果的 实现起关键作用，在版图设计时要考虑工艺宽容性、带线间的互扰及带线与器件问的互 扰并同时尽量缩小芯片的面积，然后对版图进行电磁场仿真设计。 2．4单片电路的可靠性设计 可靠性设计涉及电路拓扑结构可靠性的设计以及版雷可靠性设计两方面。电路拓扑 结构可靠性设计主要是考虑电路稳定性的问题， 傲认为负阻是产生自激的根源，因此 设计时使网络端口不呈