CuIn1xGaxSe2太阳能电池薄膜电沉积制备与性能研究.pdfVIP

化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ．305． 与性能研究_ 夏冬林沈峰李坤赵修建 武汉理工大学硅酸盐材科工程教育部重点实验室湖北武汉430070 【摘要】 ，制造成本以及稳定的光电性能而成为国际光伏界研究的热点。采用Mo，钠钙玻 璃衬底为研究电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，铂网电极为辅助电极 的三电极体系：利用恒电位电沉积技术在镀铝的钠钙玻璃衬底上制备Cu(In， 组分、晶相结构、表面形貌和电学性能的影响以及相关机理。实验结果表明： 当柠檬酸的浓度为0．2M时，可以制备致密性好，晶粒分布均匀、组分接近化 学计量比的黄铜矿结构的Cu(In，Ga)Se2薄膜。． 【关键词】 Cu(In，Ga)Se2电沉积薄膜太阳能电池电学性能 on and of thin PropertiesCUInl．xGaxSe2 StudyPreparation，Microstructure ’ films byelectrodeposition UKun XIA SHEN ZHAO Donglin Feng Xiujian ofSilicateMaterials KeyLaboratory HubeiWuhan 430070，China 0引言 是1．02 1．6 eV，而太阳光的吸收要求材料的最佳带隙宽度范围在1．4 ， eV～1．70 比例进行控制，其能隙可以在1．04 cV范围内连续可调，该带隙范围与地面太阳光 ·基金项目：硅酸盐材料工程教育部重点实验室(‘武汉理工大学)开放基金(SYSJJ2005．12)； 武汉理工大学校基金(2003XJJ025o ．306· 中国太阳能光伏进展 镉(cds)制成的异质结薄膜太阳电池的转换效率已达19．2％【l，21。 CIGS薄膜的制备方法主要有：真空蒸发法、磁控溅射法、脉冲激光沉积法和电沉积法 等。高真空镀膜所制备的CIGS太阳能电池转换效率较高，但是需要高真空系统，成本较高， 大面积制备均匀性较差。电沉积制备CIGS薄膜由于具有沉积过程温度低j设备简单，可制 得低成本、高效率和性能稳定的CIGS薄膜太阳能电池等优点而受到光伏界广泛的关注【3，41。 本工作采用电沉积法和在Ar气氛条件下硒化退火的方法在镀钼的玻璃基片上制备出高 构、表面形貌和电学性能的影响。 1实验 电沉积CIGS薄膜所用电解液由7x10一mol／LCuCl2，45x10一mol／L mol／L mol／L GaCl3，．17x10q 相等达到共沉积。实验采用Mo／钠钙玻璃衬底作为阴极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极， 积电位为一0．7(vs．SCE)，电沉积时间为60rain，电沉积过程中不搅拌溶液，柠檬酸络合剂 的浓度分别为0．2mol／L，0．6mol／L和1．0 保持在250C。将电沉积制备的CIGS薄膜，在氮气气氛条件下在520。C退火60mi